[发明专利]一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法

说明书

本发明公开了一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，所述晶圆清洗装置包括清洗辊，其为圆筒状结构，所述清洗辊设置于晶圆的两侧并绕其轴线滚动；供液管，其平行于所述清洗辊并设置于晶圆的侧部，所述供液管配置有第一喷嘴和第二喷嘴；以及旋转驱动部，其设置于供液管的端部并驱动其绕轴线旋转，使得第一喷嘴和第二喷嘴喷射的清洗液能够覆盖晶圆的中心至边缘的区域；所述第一喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场小于所述第二喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场。

技术领域

本发明属于晶圆清洗技术领域，具体而言，涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。

背景技术

集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片制造工艺中，清洗是最重要和最频繁的步骤之一。清洗的目的是为了避免微量离子和金属颗粒对半导体器件的污染，保障半导体器件的性能和合格率。晶圆清洗方式有：滚刷清洗、兆声清洗等，其中，滚刷清洗应用较为广泛。

滚刷清洗中，晶圆设置于壳体的支撑滚轮，设置于晶圆两侧的滚刷绕其轴线滚动以接触清洗移除晶圆表面的颗粒物。如专利CN209551448U公开的晶圆的处理装置，后处理单元包括滚刷装置，滚刷装置包括安装壳(箱体)，晶圆可转动地设在安装壳(箱体)内，滚刷绕其轴线滚动地设置于安装壳(箱体)内并位于晶圆两侧；滚刷与晶圆接触，在滚刷滚动的过程中移除晶圆表面的污染物。

安装壳的内侧壁配置有清洗液供给部，清洗液供给部设置于晶圆的两侧。目前，清洗液的喷射角度是固定不变的，这样容易在晶圆表面形成涡流，部分颗粒物在涡流中聚集，不利于滚刷对颗粒物的去除。其次，清洗液喷射至晶圆的位置相对固定，很容易致使清洗液浓度在晶圆表面分布不均，这会影响晶圆表面的清洗效果。

发明内容

本发明旨在至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。

为此，本发明实施例的提供了一种晶圆清洗装置，其包括：

清洗辊，其为圆筒状结构，所述清洗辊设置于晶圆的两侧并绕其轴线滚动；

供液管，其平行于所述清洗辊设置，所述供液管配置有第一喷嘴和第二喷嘴；

以及旋转驱动部，其设置于供液管的端部并驱动供液管绕轴线旋转，使得第一喷嘴和第二喷嘴喷射的清洗液能够覆盖晶圆的中心至边缘的区域；所述第一喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场小于所述第二喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场。

作为优选实施例，所述第一喷嘴和第二喷嘴的数量为多个，其沿所述供液管的长度方向设置；所述第一喷嘴与晶圆所在平面的夹角不等于第二喷嘴与晶圆所在平面的夹角。

作为优选实施例，所述旋转驱动部摆动至第一位置时，所述第一喷嘴朝向晶圆的中心区域喷射清洗液；所述旋转驱动部摆动至第二位置时，所述第二喷嘴朝向晶圆的边缘区域喷射清洗液。

作为优选实施例，所述第一喷嘴的轴线与晶圆所在平面的夹角小于第二喷嘴的轴线与晶圆所在平面的夹角。

作为优选实施例，所述第一喷嘴和第二喷嘴相互匹配并交错设置，其位于所述供液管的外周侧且与所述供液管的内部相连通，清洗液经由供液管自第一喷嘴及第二喷嘴朝向晶圆表面喷射。

作为优选实施例，所述第一喷嘴和第二喷嘴的轴线的垂直于所述供液管的轴线设置。

作为优选实施例，所述第一喷嘴和第二喷嘴相互匹配设置于供液管的外周侧，经由第一喷嘴及第二喷嘴轴线的平面垂直于晶圆所在平面。

作为优选实施例，所述供液管中设置有第一供液管和第二供液管，所述第一供液管与所述第一喷嘴连接，所述第二供液管与所述第二喷嘴连接，所述第一喷嘴的流量大于所述第二喷嘴的流量。