[发明专利]一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法有效
申请号: | 202110588332.6 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113327873B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 刘远航;马旭;王江涛;赵德文 | 申请(专利权)人: | 华海清科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300350 天津市津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 装置 方法 | ||
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括:
清洗辊,其为圆筒状结构,所述清洗辊设置于晶圆的两侧并绕其轴线滚动;
供液管,其平行于所述清洗辊设置,所述供液管配置有第一喷嘴和第二喷嘴;
以及旋转驱动部,其设置于供液管的端部并驱动供液管绕轴线旋转,使得第一喷嘴和第二喷嘴喷射的清洗液能够覆盖晶圆的中心至边缘的区域;所述第一喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场小于所述第二喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场;其中,第一喷嘴朝向晶圆的中心区域喷射清洗液,所述流场是喷嘴喷射的清洗液覆盖晶圆表面的区域。
2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一喷嘴和第二喷嘴的数量为多个,其沿所述供液管的长度方向设置;所述第一喷嘴的轴线与晶圆所在平面的夹角不等于第二喷嘴的轴线与晶圆所在平面的夹角。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述旋转驱动部摆动至第一位置时,所述第一喷嘴朝向晶圆的中心区域喷射清洗液;所述旋转驱动部摆动至第二位置时,所述第二喷嘴朝向晶圆的边缘区域喷射清洗液。
4.如权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一喷嘴的轴线与晶圆所在平面的夹角小于第二喷嘴的轴线与晶圆所在平面的夹角。
5.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一喷嘴和第二喷嘴相互匹配并交错设置,其位于所述供液管的外周侧且与所述供液管的内部相连通,清洗液经由供液管自第一喷嘴及第二喷嘴朝向晶圆表面喷射。
6.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一喷嘴和第二喷嘴的轴线的垂直于所述供液管的轴线设置。
7.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一喷嘴和第二喷嘴相互匹配设置于供液管的外周侧,经由第一喷嘴及第二喷嘴轴线的平面垂直于晶圆所在平面。
8.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述供液管中设置有第一供液管和第二供液管,所述第一供液管与所述第一喷嘴连接,所述第二供液管与所述第二喷嘴连接,所述第一喷嘴的流量大于所述第二喷嘴的流量。
9.如权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述旋转驱动部包括摆杆、连杆和气缸,所述气缸设置于晶圆清洗装置箱体的外侧,所述气缸的活塞杆通过连杆与摆杆铰接,所述摆杆与供液管的端部连接;所述气缸的活塞杆移动,其通过连杆驱动摆杆绕铰接点转动,以带动所述供液管摆动。
10.一种晶圆清洗方法,使用权利要求1至9任一项所述的晶圆清洗装置,其特征在于,包括:
S1,朝向旋转的晶圆表面喷射去离子水;
S2,清洗辊通入去离子水并抵接于晶圆表面;
S3,通入供液管的清洗液经由第一喷嘴和第二喷嘴喷射,旋转驱动部带动供液管在第一位置和第二位置摆动,以使清洗液完全均匀覆盖晶圆表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造