[发明专利]一种能够保持清洗辊清洁的晶圆清洗系统及清洗方法有效
申请号: | 202110588299.7 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113327841B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 马旭;刘远航;赵德文;李长坤;郑广建 | 申请(专利权)人: | 华海清科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B08B1/02;B08B3/02;B08B3/12 |
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地址: | 300350 天津市津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 能够 保持 清洗 清洁 系统 方法 | ||
本发明公开了一种能够保持清洗辊清洁的晶圆清洗系统及清洗方法,所述晶圆清洗系统包括:晶圆支撑部,其水平支撑晶圆并驱动晶圆旋转;清洗辊,其设置于晶圆的两侧并绕其轴线滚动;供液管,其设置于晶圆的侧部以朝向晶圆表面喷射清洗液;冲洗管及其摆动驱动部,所述冲洗管平行于所述清洗辊设置并位于晶圆的两侧,其上配置的喷嘴喷射的流体冲洗晶圆的表面;所述摆动驱动部设置于所述冲洗管的端部,其驱动冲洗管转动,使得喷嘴朝向所述清洗辊的外周侧喷射流体,以冲洗清洗辊附着的颗粒物。
技术领域
本发明属于晶圆清洗技术领域,具体而言,涉及一种能够保持清洗辊清洁的晶圆清洗系统及清洗方法。
背景技术
集成电路产业是信息技术产业的核心,在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片制造工艺中,清洗是最重要和最频繁的步骤之一。清洗的目的是为了避免微量离子和金属颗粒对半导体器件的污染,保障半导体器件的性能和合格率。晶圆清洗方式有:滚刷清洗、兆声清洗等,其中,滚刷清洗应用较为广泛。
滚刷清洗中,晶圆设置于箱体的支撑滚轮,设置于晶圆两侧的滚刷绕其轴线滚动以接触清洗移除晶圆表面的颗粒物。如专利CN209551448U公开的晶圆的处理装置,后处理单元包括滚刷装置,滚刷装置包括安装壳(箱体),晶圆可转动地设在安装壳(箱体)内,滚刷绕其轴线滚动地设置于安装壳(箱体)内并位于晶圆两侧;滚刷与晶圆接触,在滚刷滚动的过程中移除晶圆表面的污染物。
在清洗过程中,滚刷会附着大量颗粒物;该颗粒物可能含有研磨抛光剂、金属颗粒等。如不定期处理附着有大量颗粒物的滚刷,这些颗粒可能影响后续晶圆的清洗效果,甚至引起二次污染问题。
因此,如何在保证晶圆表面清洗效果良好的前提下尽量延迟滚刷的使用寿命,成为本领域技术人员努力解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
为此,本发明实施例的提供了一种能够保持清洗辊清洁的晶圆清洗系统,其包括:
晶圆支撑部,其水平支撑晶圆并驱动晶圆旋转;
清洗辊,其设置于晶圆的两侧并绕其轴线滚动;
供液管,其设置于晶圆的侧部以朝向晶圆表面喷射清洗液;
冲洗管及其驱动部,所述冲洗管平行于所述清洗辊设置并位于晶圆的两侧,其上配置的喷嘴喷射的流体冲洗晶圆的表面;所述驱动部设置于所述冲洗管的端部,其驱动冲洗管转动,使得喷嘴朝向所述清洗辊的外周侧喷射流体,以冲洗清洗辊附着的颗粒物。
作为优选实施例,所述冲洗管配置多个喷嘴,所述喷嘴沿所述冲洗管的长度方向间隔设置;所述喷嘴形成扇形水幕,相邻喷嘴形成的扇形水幕部分交叉重叠。
作为优选实施例,所述冲洗管的喷嘴冲洗清洗辊时,所述清洗辊绕轴线转动,所述喷嘴形成的扇形水幕与所述清洗辊的转动方向相对。
作为优选实施例,所述喷嘴形成的扇形水幕为片状结构,所述扇形水幕的厚度为0.5-3mm。
作为优选实施例,晶圆清洗系统还包括超声波清洗部,所述超声波清洗部设置于所述清洗辊的外侧,其能够沿竖直方向移动以靠近所述清洗辊的外周侧;所述超声波清洗部朝向所述清洗辊喷射超声振动流体,使得颗粒物脱离于所述清洗辊。
作为优选实施例,所述超声波清洗部包括壳体、超声发生器和清洗管,所述超声发生器设置于所述壳体的上部,所述清洗管设置于所述超声发生器的下部并位于所述壳体中;所述清洗管的下部配置有出水口,所述壳体的底板配置有矩形孔,所述清洗管的出水口与所述壳体的矩形孔相匹配;所述清洗管的出水口流出的流体由超声发生器作用后,通过所述矩形孔输送至所述清洗辊的外周侧。
作为优选实施例,所述壳体的底板为弧形板,其沿所述清洗辊的长度方向设置并罩设于所述清洗辊的上侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造