[发明专利]一种能够保持清洗辊清洁的晶圆清洗系统及清洗方法有效
申请号: | 202110588299.7 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113327841B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 马旭;刘远航;赵德文;李长坤;郑广建 | 申请(专利权)人: | 华海清科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B08B1/02;B08B3/02;B08B3/12 |
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地址: | 300350 天津市津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 能够 保持 清洗 清洁 系统 方法 | ||
1.一种能够保持清洗辊清洁的晶圆清洗系统,其特征在于,包括:
晶圆支撑部,其水平支撑晶圆并驱动晶圆旋转;
清洗辊,其设置于晶圆的两侧并绕其轴线滚动;
供液管,其设置于晶圆的侧部以朝向晶圆表面喷射清洗液;
冲洗管及其驱动部,所述冲洗管平行于所述清洗辊设置并位于晶圆的两侧,其上配置的喷嘴喷射的流体冲洗晶圆的表面;所述驱动部设置于所述冲洗管的端部,其驱动冲洗管转动,使得喷嘴朝向所述清洗辊的外周侧喷射流体,以冲洗清洗辊附着的颗粒物;
还包括超声波清洗部,所述超声波清洗部包括壳体、超声发生器和清洗管,壳体的底板配置有矩形孔,清洗管下部配置有出水口;出水口喷射的流体由超声发生器作用后,经由所述矩形孔输送至清洗辊的外周侧。
2.如权利要求1所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述冲洗管配置多个喷嘴,所述喷嘴沿所述冲洗管的长度方向间隔设置;所述喷嘴形成扇形水幕,相邻喷嘴形成的扇形水幕部分交叉重叠。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述冲洗管的喷嘴冲洗清洗辊时,所述清洗辊绕轴线转动,所述喷嘴形成的扇形水幕与所述清洗辊的转动方向相对。
4.如权利要求2所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述喷嘴形成的扇形水幕为片状结构,所述扇形水幕的厚度为0.5-3mm。
5.如权利要求1所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述超声波清洗部设置于所述清洗辊的外侧,其能够沿竖直方向移动以靠近所述清洗辊的外周侧;所述超声波清洗部朝向所述清洗辊喷射超声振动流体,使得颗粒物脱离于所述清洗辊。
6.如权利要求5所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述超声发生器设置于所述壳体的上部,所述清洗管设置于所述超声发生器的下部并位于所述壳体中;所述清洗管的出水口与所述壳体的矩形孔相匹配。
7.如权利要求6所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述壳体的底板为弧形板,其沿所述清洗辊的长度方向设置并罩设于所述清洗辊的上侧。
8.如权利要求7所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述壳体的底板与清洗辊的外周侧之间的间距为2mm-5mm。
9.如权利要求1所述的晶圆清洗系统,其特征在于,所述驱动部包括摆杆、连杆和气缸,所述气缸设置于晶圆清洗系统的箱体外侧,所述气缸的活塞杆通过连杆与摆杆铰接,所述摆杆与冲洗管的端部连接;所述气缸的活塞杆移动,其通过所述连杆驱动所述摆杆绕铰接点转动,以带动所述冲洗管摆动。
10.一种晶圆清洗方法,使用权利要求1至9任一项所述的晶圆清洗系统,其特征在于,包括:
晶圆支撑部驱动水平放置的晶圆旋转,位于晶圆两侧的清洗辊绕轴线转动;
供液管朝向晶圆表面喷射清洗液,转动的清洗辊接触清洗晶圆表面;
冲洗管朝向晶圆表面喷射流体以漂洗晶圆表面;
当清洗辊表面附着的颗粒物达到设定值时,超声波清洗部朝向所述清洗辊移动并超声处理清洗辊的表面;驱动部带动冲洗管摆动,冲洗管的喷嘴朝向清洗辊的外周侧喷射流体,以冲洗清洗辊附着的颗粒物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造