[发明专利]不对称板的制作方法

权利要求书

1.不对称板的制作方法，其特征在于，包括：

制作第一母板：所述第一母板包括至少两个第一铜层，以及夹置于相邻两个所述第一铜层之间的第一绝缘层；

制作第二母板：所述第二母板包括至少两个第二铜层，以及夹置于相邻两个所述第二铜层之间的第二绝缘层；

其中，所述第二绝缘层的材料的热膨胀系数大于所述第一绝缘层的材料的热膨胀系数；

热压合：在所述第一母板和所述第二母板之间放置半固化片并进行热压合，得到不对称大板，所述不对称大板上形成有至少一个拼板，每一所述拼板包括多个单元；所述拼板与拼板之间、所述单元与单元之间，以及所述单元与所述不对称大板的板边之间均设有连接区域；以及

锣板：于所述拼板与拼板之间的所述连接区域、所述单元与所述板边之间的所述连接区域，以及所述单元与所述单元之间的所述连接区域进行锣板，得到一个或多个分离的所述拼板，每一所述拼板内所述单元通过连接位相互连接；以及

控深锣：在每一所述拼板内，由所述第二母板一侧开始、于所述单元与单元之间的所述连接位进行控深锣，得到控深槽；

每一所述拼板内所述单元按照相互垂直的第一方向和第二方向排列呈至少一行和至少一列，设，位于同一行的所述连接区域内的所述控深槽的数量为n，位于同一列的所述连接区域内的所述控深槽的数量为m，n和m均为大于或等于0的整数；

当n＜3时，所述控深槽的深度相等；当n≥3时，所述控深槽的深度由所述拼板的中心至边缘依次增大；当m＜3时，所述控深槽的深度相等；当m≥3时，所述控深槽的深度由所述拼板的中心至边缘依次增大。

2.如权利要求1所述的不对称板的制作方法，其特征在于，所述控深槽步骤控制为锣穿所述第二母板且不锣伤所述第一母板的最靠近所述第二母板的所述第一铜层，所述控深槽具有深度最小值Hmin和深度最大值Hmax。

3.如权利要求2所述的不对称板的制作方法，其特征在于，所述不对称板的制作方法还包括制作阻焊层的步骤；

所述控深锣采用机械控深锣方式；所述控深锣步骤实施于所述制作阻焊层的步骤之前，Hmin＝H1-H4+ΔX，Hmax＝H1-H4+H3-ΔX；或者，所述控深锣步骤实施于所述制作阻焊层的步骤之后，Hmin＝H1-H4+L’+ΔX，Hmax＝H1-H4+H3+L’-ΔX；其中，所述H1为所述第二母板的厚度，所述H3为所述半固化片的厚度，所述H4为所述第二铜层的厚度，所述ΔX为所述机械控深锣中所使用的控深锣机的精度公差；所述L’为所述第二母板表面的阻焊层的厚度。

4.如权利要求3所述的不对称板的制作方法，其特征在于，所述控深锣机的刀具以绕垂直于所述不对称大板表面的轴线转动以将所述单元与单元之间的所述连接位部分地铣除；或者，所述控深锣机的刀具绕平行于所述不对称大板表面的轴线转动以将所述单元与单元之间的所述连接位部分地切割。

5.如权利要求2所述的不对称板的制作方法，其特征在于，所述不对称板的制作方法还包括制作阻焊层的步骤；

所述控深锣采用镭射控深锣方式，且所述第二母板为双层板；所述控深锣实施于所述制作阻焊层的步骤之前，Hmin＝H1-H4+ΔX，Hmax＝H1-H4+H3；或者，所述控深锣实施于所述制作阻焊层的步骤之后，Hmin＝H1-H4+L’+ΔX，Hmax＝H1-H4+H3+L’；其中，所述H1为所述第二母板的厚度，所述H3为所述半固化片的厚度，所述H4为所述第二铜层的厚度，所述ΔX为所述镭射控深锣中所使用的控深锣机的精度公差；所述L’为第二母板表面的阻焊层的厚度。

6.如权利要求2至5中任一项所述的不对称板的制作方法，其特征在于，当n＜3时，所述控深槽的深度为大于或等于Hmin且小于或等于Hmax；和/或，当m＜3时，所述控深槽的深度为大于或等于Hmin且小于或等于Hmax。

7.如权利要求2至5中任一项所述的不对称板的制作方法，其特征在于，当n≥3时，位于最边缘的所述控深槽的深度为Hmax，位于中心的所述控深槽的深度为Hmin；和/或，当m≥3时，位于最边缘的所述控深槽的深度为Hmax，位于中心的所述控深槽的深度为Hmin。