[发明专利]封装结构

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

一第一导线架；

一第二导线架；

一第三导线架；

一第一载板，放置于所述第一导线架上，且所述第一载板与所述第一导线架电性隔离；

一增强型电晶体，放置于所述第一载板上，所述增强型电晶体包括耦接至所述第二导线架的一第一闸极端、耦接至所述第一导线架的一第一源极端以及耦接至所述第一载板的一第一汲极端；以及

一空乏型III-V族电晶体，放置于所述第一导线架，所述空乏型III-V族电晶体包括耦接至所述第一导线架的一第二闸极端、耦接至所述第一载板的一第二源极端以及耦接至所述第三导线架的一第二汲极端。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述空乏型III-V族电晶体更包括一基体端，其中所述基体端与所述第一导线架相互接触。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述空乏型III-V族电晶体通过一镀金属而与所述第一导线架黏合，所述基体端通过所述镀金属而与所述第一导线架相互接触。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述增强型电晶体为一垂直式电晶体，其中所述第一汲极端通过一镀金属而与所述第一载板相互接触。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述增强型电晶体以及所述空乏型III-V族电晶体串叠连接而为一功率电晶体，其中所述功率电晶体包括一功率闸极端、一功率源极端以及一功率汲极端，其中所述第一导线架耦接至所述功率源极端，所述第二导线架耦接至所述功率闸极端，所述第三导线架耦接至所述功率汲极端。

6.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

一第一导线架；

一第二导线架；

一第三导线架；

一第一载板，放置于所述第一导线架上，且所述第一载板与所述第一导线架电性隔离；

一第二载板，放置于所述第一导线架上，且所述第二载板与所述第一导线架电性隔离；

一增强型电晶体，放置于所述第一载板上，所述增强型电晶体包括耦接至所述第二导线架的一第一闸极端、耦接至所述第一导线架的一第一源极端以及耦接至所述第一载板的一第一汲极端；

一空乏型III-V族电晶体，放置于所述第二载板，所述空乏型III-V族电晶体包括耦接至所述第一导线架的一第二闸极端、耦接至所述第一载板的一第二源极端、耦接至所述第三导线架的一第二汲极端以及耦接至所述第二载板的一基体端；以及

一电阻元件，耦接于所述第二载板以及所述第一导线架之间。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述空乏型III-V族电晶体通过一镀金属而与所述第二载板黏合，所述基体端通过所述镀金属而与所述第二载板相互接触。

8.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

一第一导线架；

一第二导线架；

一第三导线架；

一第一载板，放置于所述第一导线架上，且所述第一载板与所述第一导线架电性隔离；

一第二载板，放置于所述第一导线架上，且所述第二载板与所述第一导线架电性隔离；

一增强型电晶体，放置于所述第一载板上，所述增强型电晶体包括耦接至所述第二导线架的一第一闸极端、耦接至所述第一导线架的一第一源极端以及耦接至所述第一载板的一第一汲极端；

一空乏型III-V族电晶体，放置于所述第二载板，所述空乏型III-V族电晶体包括耦接至所述第一导线架的一第二闸极端、耦接至所述第一载板的一第二源极端、耦接至所述第三导线架的一第二汲极端以及耦接至所述第二载板的一基体端；以及

一电容元件，耦接于所述第二载板以及所述第一导线架之间。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述空乏型III-V族电晶体通过一镀金属而与所述第二载板黏合，所述基体端通过所述镀金属而与所述第二载板相互接触。

10.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述增强型电晶体为一垂直式电晶体，其中所述增强型电晶体通过一镀金属而与所述第一载板黏合，所述第一汲极端通过所述镀金属与所述第一载板相互接触。