[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；所述衬底上形成有包括外围电路的第一区域以及包括绝缘层和栅极层交替层叠的第二区域，所述第二区域包括形成有台阶结构的台阶区以及形成有沟道结构的核心存储区；并列设置的所述第一区域和第二区域上均形成有介质层；

对所述介质层进行第一刻蚀，形成贯穿所述介质层且延伸至所述衬底中的外围电路接触孔以及贯穿所述介质层且延伸至所述台阶结构栅极层中的栅极接触孔；

在所述介质层上形成包含外围电路接触图形及沟道接触图形的第一掩膜层；

利用所述第一掩膜层对所述衬底及介质层进行第二刻蚀，形成深度增加的外围电路接触孔以及贯穿所述介质层且延伸至所述沟道结构中的沟道接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述第一掩膜层对所述衬底及介质层进行第二刻蚀，形成深度增加的外围电路接触孔以及贯穿所述介质层且延伸至所述沟道结构中的沟道接触孔，包括：

利用所述第一掩膜层对与外围电路接触孔接触的衬底进行第一子刻蚀，形成深度增加的外围电路接触孔；

在所述第一子刻蚀完成后，利用所述第一掩膜层对覆盖沟道结构的介质层进行第二子刻蚀，形成贯穿所述介质层且延伸至所述沟道结构中的沟道接触孔。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用所述第一掩膜层对与外围电路接触孔接触的衬底进行第一子刻蚀，形成深度增加的外围电路接触孔，包括：

通过第一刻蚀气体，利用所述第一掩膜层对与外围电路接触孔接触的衬底进行第一子刻蚀，形成深度增加的外围电路接触孔；

所述在所述第一子刻蚀完成后，利用所述第一掩膜层对覆盖沟道结构的介质层进行第二子刻蚀，形成贯穿所述介质层且延伸至所述沟道结构中的沟道接触孔，包括：

在所述第一子刻蚀完成后，通过第二刻蚀气体，利用所述第一掩膜层对覆盖沟道结构的介质层进行第二子刻蚀，形成贯穿所述介质层且延伸至所述沟道结构中的沟道接触孔。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料包括硅，所述介质层的材料包括氧化硅。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括溴化氢及氯气；所述第二刻蚀气体包括含氟的碳化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述介质层进行第一刻蚀，形成贯穿所述介质层且延伸至所述衬底中的外围电路接触孔以及贯穿所述介质层且延伸至所述台阶结构栅极层中的栅极接触孔之前，在所述介质层上形成包含外围电路接触图形及栅极接触图形的第二掩膜层；

利用所述第二掩膜层对所述介质层进行第一刻蚀，形成贯穿所述介质层且延伸至所述衬底中的外围电路接触孔以及贯穿所述介质层且延伸至所述台阶结构栅极层中的栅极接触孔。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在对所述介质层进行第一刻蚀，形成贯穿所述介质层且延伸至所述衬底中的外围电路接触孔以及贯穿所述介质层且延伸至所述台阶结构栅极层中的栅极接触孔之后，去除所述外围电路接触孔、栅极接触孔侧壁以及底部的聚合物。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述核心存储区中还形成有栅极隔离结构；

所述在所述介质层上形成包含外围电路接触图形及沟道接触图形的第一掩膜层，包括：

在所述介质层上形成包含外围电路接触图形、沟道接触图形以及栅极隔离结构接触图形的第一掩膜层；

所述利用所述第一掩膜层对所述衬底及介质层进行第二刻蚀，形成深度增加的外围电路接触孔以及贯穿所述介质层且延伸至所述沟道结构中的沟道接触孔，包括：

利用所述第一掩膜层对所述衬底及介质层进行第二刻蚀，形成深度增加的外围电路接触孔、贯穿所述介质层且延伸至所述沟道结构中的沟道接触孔以及贯穿所述介质层且延伸至所述栅极隔离结构的栅极隔离结构接触孔。