[发明专利]集成组合件在审
| 申请号： | 202110521384.1 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN114078513A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | S·J·德尔纳;C·J·卡瓦姆拉 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074;G11C11/4094;G11C11/4097 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 组合 | ||
1.一种集成组合件，其包括：
第一字线，其与驱动器电路耦合且具有远离所述驱动器电路的第一末端；
第二字线，其与所述驱动器电路耦合且具有远离所述驱动器电路的第二末端；以及
开关，其邻近于所述第一末端且被配置成在所述第一字线从“开启”状态到“关断”状态的转变期间将所述第一末端耦合到所述第二末端和低电压参考源中的一个或两个。
2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二字线从所述第一字线竖直偏移。
3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述驱动器电路包含第一子驱动器电路和第二子驱动器电路，并且其中所述第一字线和所述第二字线分别与所述第一子驱动器电路和所述第二子驱动器电路耦合。
4.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述开关是晶体管。
5.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述晶体管具有竖直延伸的沟道区。
6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述开关被配置成将所述第一末端耦合到所述低电压参考源。
7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述开关被配置成在所述第一字线从“开启”状态到“关断”状态的所述转变期间且在所述第二字线处于所述“关断”状态时将所述第一末端耦合到所述第二末端。
8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述开关是第一开关且被配置成将所述第一末端耦合到所述低电压参考源；并且所述集成组合件进一步包括第二开关，所述第二开关在所述第一末端与所述第二末端之间，且被配置成在所述第一字线从“开启”状态到“关断”状态的所述转变期间且在所述第二字线处于所述“关断”状态时将所述第一末端耦合到所述第二末端。
9.一种集成组合件，其包括：
第一字线，其与第一子驱动器电路耦合且具有远离所述第一子驱动器电路的第一末端；
第二字线，其与第二子驱动器电路耦合且具有远离所述第二子驱动器电路的第二末端；所述第二字线相对于所述第一字线竖直偏移；所述第一子驱动器电路和所述第二子驱动器电路相对于所述第一字线和所述第二字线竖直偏移；
第一开关，其邻近于所述第一末端且被配置成在所述第一字线从“开启”状态到“关断”状态的转变期间将所述第一末端耦合到低电压参考源；以及
第二开关，其邻近于所述第二末端且被配置成在所述第二字线从“开启”状态到“关断”状态的转变期间将所述第二末端耦合到所述低电压参考源。
10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述低电压参考源处于负字线电压VNWL。
11.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述第一开关和所述第二开关分别是第一晶体管和第二晶体管。
12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有与控制电路耦合的栅极；并且其中所述控制电路在所述第一字线和所述第二字线之下。
13.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管包括竖直延伸的沟道区。
14.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第一晶体管是设置在所述第一末端与所述低电压参考源之间的一系列晶体管中的一个，所述一系列晶体管具有与控制电路耦合的栅极。
15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述控制电路从所述第一字线和所述第二字线竖直偏移。
16.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述控制电路在所述第一字线和所述第二字线之下。
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