[发明专利]Micro LED显示装置及其制备方法

说明书

本发明涉及Micro LED显示装置及其制备方法，包括以下步骤：提供衬底，对衬底进行外延生长处理操作，形成外延层；进行蚀刻操作，形成多个发光单元；涂覆绝缘胶；绝缘层进行开口操作；通过蒸镀在绝缘层上形成电路层，得到发光模组；提供玻璃基板，在玻璃基板上涂覆光阻层；再对光阻层进行开槽操作，在第一发光槽中涂覆红色荧光粉，在第二发光槽中涂覆绿色荧光粉，在每第三发光槽中涂覆透明胶，再在红色荧光粉层、绿色荧光粉层及透明胶层上分别覆盖红色滤光片、绿色滤光片及蓝色滤光片，得到滤光板；将滤光板扣合于发光模组上，得到Micro LED显示装置。制备工艺简单，提高了Micro LED显示装置的使用稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种Micro LED显示装置及其制备方法。

背景技术

Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)显示装置是采用Micro LED作为光源的一种显示装置，是一种新的显示技术，具有亮度高及发光效率好的优点，且节能环保，其中，Micro LED技术是LED微缩化和矩阵化技术，将像素点距离从毫米级降低至微米级，而Micro LED显示装置一般是通过在集成电路上制作LED阵列，并通过封装得到。

然而，现有的Micro LED显示装置的制备工艺存在一定难度，由于Micro LED是将LED微缩化及矩阵化，大大提高了芯片转移的难度，不仅存在芯片转移数量巨大的问题，且存在对芯片造成损坏的问题，另外，芯片与芯片间在放置的过程中必须存在一定间距，造成pitch值较大，同时，由于红、蓝、绿三基色芯片的电压存在差异，对电源设计增加了难度，导致Micro LED显示装置制备工艺实现难度高，难以普及。

发明内容

基于此，有必要提供一种Micro LED显示装置及其制备方法。

一种Micro LED显示装置的制备方法，包括：

提供衬底，对所述衬底进行外延生长处理操作，形成外延层，所述外延层包括N型GaN层、发光层及P型GaN层；

对所述发光层及所述P型GaN层进行蚀刻操作，以对所述发光层及所述P型GaN层进行分割，形成多个发光单元；

向多个所述发光单元的表面涂覆绝缘胶，形成绝缘层；

对所述绝缘层进行开口操作，以使所述P型GaN层及所述N型GaN层部分露出，所述P型GaN层露出部分为P极焊盘，所述N型GaN层露出部分为N极焊盘；

通过蒸镀在所述绝缘层上形成电路层，所述电路层分别与所述P极焊盘及所述N极焊盘连接，得到发光模组；

提供玻璃基板，在所述玻璃基板上涂覆光阻层；再对所述光阻层进行开槽操作，形成多个第一发光槽、多个第二发光槽及多个第三发光槽，多个所述第一发光槽、多个所述第二发光槽及多个所述第三发光槽呈矩阵分布，一所述第一发光槽、一所述第二发光槽及一所述第三发光槽在横向方向上依次顺序排布；

在每一所述第一发光槽中涂覆红色荧光粉，形成红色荧光粉层，在每一所述第二发光槽中涂覆绿色荧光粉，形成绿色荧光粉层，在每一所述第三发光槽中涂覆透明胶，形成透明胶层，再在所述红色荧光粉层、绿色荧光粉层及透明胶层上分别覆盖红色滤光片、绿色滤光片及蓝色滤光片，得到滤光板；

将滤光板扣合于发光模组上，得到Micro LED显示装置。

在其中一种实施方式，在所述向多个所述发光单元的表面涂覆绝缘胶的操作之前，还对每一所述发光单元进行开孔操作，以使所述N型GaN层部分露出。

在其中一种实施方式，在所述对每一所述发光单元进行开孔操作，以使所述N型GaN层部分露出的操作之后，还在所述P型GaN层上设置反光层。

在其中一种实施方式，所述绝缘层为二氧化硅绝缘层。