[发明专利]一种雪崩探测器及制备方法

权利要求书

1.一种雪崩探测器，其特征在于，包括：

衬底层、倍增区、第一电极区、第二电极区及隔离结构；

所述倍增区、所述第一电极区及所述第二电极区均形成在所述衬底层中；所述倍增区和所述第一电极区位于所述衬底层的中部；所述倍增区位于所述第一电极区的下方，且厚度为2-3微米；所述第二电极区为环状结构，且环绕所述倍增区和所述第一电极区；所述隔离结构位于所述第一电极区和所述第二电极区之间；所述第一电极区的掺杂类型与所述第二电极区的掺杂类型不同，且所述第一电极区的掺杂浓度大于所述第二电极区的掺杂浓度；所述倍增区为高能离子注入形成，注入能量为50-2000KeV，注入计量为3.5X10¹¹cm^-2到4X10¹²cm^-2；

还包括：N个保护环，其中，N为0到7的整数；

所述N个保护环均环绕所述倍增区，且每个保护环的宽度和每个保护环之间的间距均相等；

所述隔离结构的材料为绝缘介质材料，包括多晶硅和二氧化硅中的一种或多种的组合；

所述第二电极区包括：

第一掺杂区和第二掺杂区；

其中，所述第一掺杂区的掺杂浓度与所述第二掺杂区的掺杂浓度的比值大于等于10²小于10⁴；

所述保护环的掺杂类型与所述倍增区的掺杂类型相反；

所述保护环的深度为3-7微米；

所述保护环的宽度为3-7微米；

所述倍增区的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同；

所述衬底层的下方有金属层，通过调节金属层厚度不同，以达到不同的效果。

2.一种如权利要求1所述的雪崩探测器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备隔离结构；

采用离子注入工艺或深反应离子刻蚀工艺或激光刻蚀工艺，在所述隔离结构的一侧制备倍增区和第一电极区，

采用离子注入工艺或深反应离子刻蚀工艺或激光刻蚀工艺，在所述隔离结构的另一侧制备第二电极区。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在衬底上制备隔离结构，包括：

在所述衬底需形成所述隔离结构的区域形成场氧化层；

或着在所述衬底上刻蚀出沟槽，并在所述沟槽填充绝缘介质。