[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

根据本发明的半导体器件包括第一互连结构、在第一互连结构上方的第一晶体管、在第一晶体管上方的第二晶体管以及在第二晶体管上方的第二互连结构。该第一晶体管包括第一纳米结构和与第一纳米结构邻接的第一源极区。该第二晶体管包括第二纳米结构和与第二纳米结构邻接的第二源极区。该第一源极区耦接到第一互连结构中的第一电源轨，并且该第二源极区耦接到第二互连结构中的第二电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业经历了指数式增长。IC材料和设计的技术进步已生产出多代IC，其每一代都比上一代具有更小且更复杂的电路。在IC的发展过程中，功能密度(即每个芯片区互连器件的数量)普遍增加，而其几何尺寸(即使用制造工艺中可产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺一般通过提高生产效率和降低相关成本带来效益。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂度。

例如，随着集成电路(IC)技术向更小的技术节点发展，已经引入了多栅极器件，以通过增加栅极-沟道耦合、减小截止状态电流和减小短沟道效应(SCE)提高栅极控制。多栅极器件通常是指具有布置在沟道区的不止一侧上方的栅极结构或其部分的器件。鳍式场效应晶体管(FinFET)和多桥沟道(MBC)晶体管是多栅极器件的实例，其变得越来越流行并且是高性能低漏电应用的有前景的候选者。FinFET在不止一侧具有被栅极包覆的升高的沟道(例如，栅极包覆从衬底延伸的半导体材料“鳍”的顶部和侧壁)。MBC晶体管具有可围绕沟道区进行部分或整体延伸的栅极结构，从而允许从两个或更多侧对沟道区进行访问。因为MBC晶体管的栅极结构围绕沟道区，所以MBC晶体管也可被称为围绕栅极晶体管(SGT)或全环栅(GAA)晶体管。MBC晶体管的沟道区可以由纳米线、纳米片、其它纳米结构和/或其它合适的结构形成。

多栅晶体管的实施减小了器件尺寸并增加了器件封装密度，这在形成功率和信号路由方面提出了挑战。尽管现有的源极/漏极接触结构通常足以满足其预期目的，但无法在所有方面都令人满意。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一互连结构；第一晶体管，在所述第一互连结构上方并且包括：第一纳米结构，以及第一源极部件，与所述第一纳米结构邻接；第二晶体管，在所述第一晶体管上方并且包括：第二纳米结构，以及第二源极部件，与所述第二纳米结构邻接；以及第二互连结构，在所述第二晶体管上方，其中，所述第一源极部件耦接到所述第一互连结构中的第一电源轨，并且所述第二源极部件耦接到所述第二互连结构中的第二电源轨。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一互连结构；第一晶体管，在所述第一互连结构上方并且包括：第一纳米结构，以及第一源极部件，与所述第一纳米结构邻接；第二晶体管，在所述第一晶体管上方并且包括：第二纳米结构，以及第二源极部件，与所述第二纳米结构邻接；以及第二互连结构，在所述第二晶体管上方，其中，所述第一源极部件耦接到所述第一互连结构中的第一电源轨，并且所述第二源极部件耦接到所述第一互连结构中的第二电源轨。