[发明专利]半导体制造系统

说明书

一种半导体制造系统，包括一半导体处理设备、一颗粒吸引构件以及一监控装置。半导体处理设备包括一处理腔室以及一传送模块。处理腔室配置以对一半导体晶圆执行一半导体处理。传送模块配置以将半导体晶圆传入以及传出处理腔室。颗粒吸引构件具有一涂层。监控装置配置以当半导体晶圆不在处理腔室中时，控制传送模块将颗粒吸引构件装载至一清洁循环中的处理腔室，以及在清洁循环之后控制传送模块将颗粒吸引构件由处理腔室移出。在清洁循环中，在处理腔室中的颗粒是因为涂层以及处理腔室中的颗粒之间的一电位差被吸引到颗粒吸引构件的涂层的一表面。

技术领域

本公开涉及一种半导体制造系统，特别涉及一种用来移除颗粒的半导体制造系统。

背景技术

半导体集成电路经历了指数级的成长，在集成电路材料以及设计上的技术进步下产生了多个世代的集成电路，且其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，当几何尺寸(也就是工艺中所能产出的最小元件或者线)缩小时，功能密度(也就是每一芯片区域所具有的互连装置的数目)通常会增加。一般而言，这种尺寸缩小的工艺可提供增加生产效率以及降低相关成本的好处，然这种尺寸缩小的工艺也会增加制造与生产集成电路的复杂度。

举例来说，使用较高分辨率的微影工艺的需求成长了。一种微影技术是称为极紫外光微影技术(extreme ultraviolet lithography,EUVL)，这种技术利用了使用波长范围约在1-100纳米的极紫外光的扫描器。其中一种极紫外光光源是激光产生等离子体(laser-produced plasma,LPP)。激光产生等离子体技术是通过将一高功率激光光束聚焦在微小的掺锡液滴标靶上以形成高度离子化等离子体，此高度离子化等离子体会在波长为13.5纳米时发出具有最大发射量的峰值的极紫外光射线。接着激光产生等离子体的收集器收集这种极紫外光并通过光学系统反射至要进行微影工艺的标的物，例如晶圆。

尽管用于微影工艺的现有方法和设备已经足以满足其预期目的，但是它们在所有方面仍未完全令人达到满意的结果。

发明内容

本公开提供一种半导体制造系统，包括一半导体处理设备、一颗粒吸引构件以及一监控装置。半导体处理设备，包括一处理腔室以及一传送模块。处理腔室配置以对一半导体晶圆执行一半导体处理。传送模块配置以将半导体晶圆传入以及传出处理腔室。颗粒吸引构件具有一涂层。监控装置配置以当半导体晶圆不在处理腔室中时，控制传送模块将颗粒吸引构件装载至一清洁循环(cleaning cycle)中的处理腔室，以及在清洁循环之后控制传送模块将颗粒吸引构件由处理腔室移出。在清洁循环中，在处理腔室中的颗粒是因为涂层以及处理腔室中的颗粒之间的一电位差被吸引到颗粒吸引构件的涂层的一表面。

本公开提供了一种颗粒移除方法，包含将具有一涂层的一颗粒吸引构件装载到一处理设备的一处理腔室。方法还包含在一清洁循环中，将颗粒吸引构件固定于处理腔室中的一支撑件上。方法还包含由于涂层以及处理腔室中的颗粒之间的一电位差，将在处理腔室中的颗粒吸引到颗粒吸引构件的涂层。处理腔室中的颗粒被吸引到涂层的一表面。方法还包含在清洁循环后，将具有涂层的颗粒吸引构件以及被吸引的颗粒移出处理腔室。方法还包含将一半导体晶圆装载到处理腔室。再者，方法还包含对处理腔室中的半导体晶圆执行一半导体处理。半导体处理是在清洁循环之后执行。