[发明专利]半导体装置

说明书

提供了半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，位于基底上；电容器介电膜，在下电极上沿着下电极的与基底垂直的侧表面延伸；上电极，位于电容器介电膜上；界面层，包括位于上电极上的氢阻挡膜和氢旁路膜，氢旁路膜包括导电材料；以及接触插塞，穿透界面层，并且电连接到上电极。

本申请要求于2020年5月28日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0064361号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的实施例涉及一种半导体装置。

背景技术

近年来，随着半导体元件的增大的容量和变高的集成度，与对半导体装置的制造工艺的几何约束相关的设计规则也已经减小。在诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置的存储器半导体元件的制造中看到了减小的几何约束的这样的趋势。为了DRAM装置进行操作，每个单元需要特定水平或更大的电容。

电容的增大使存储在电容器中的电荷的量增大，以改善半导体装置的刷新特性。半导体装置的改善的刷新特性可以改善半导体装置的良率。

此外，这可以有益于控制漏电流和改善半导体装置的刷新时间。

发明内容

本公开的方面提供了一种半导体装置，该半导体装置能够通过包括氢阻挡膜和氢旁路膜来改善元件的性能和可靠性。

根据本公开的一些实施例，半导体装置包括：下电极，位于基底上；电容器介电膜，在下电极上沿着下电极的与基底垂直的侧表面延伸；上电极，位于电容器介电膜上，并且位于下电极上；界面层，包括位于上电极上的氢阻挡膜和氢旁路膜，氢旁路膜包括导电材料；以及接触插塞，穿透界面层，并且电连接到上电极。

根据本公开的一些实施例，半导体装置包括：基底，包括单元区和外围区；下电极，位于单元区上；电容器介电膜，在下电极上沿着下电极的与基底垂直的侧表面延伸；上电极，位于电容器介电膜上；界面层，包括位于上电极上的氢阻挡膜和氢旁路膜；以及接触插塞，穿透界面层，并且电连接到上电极。氢旁路膜位于基底的单元区上，而不位于基底的外围区上。

根据本公开的一些实施例，半导体装置包括：栅极沟槽，位于基底中；栅电极，位于栅极沟槽的一部分中；存储接触件，位于栅电极的至少一侧上，并且与基底接触；存储垫，位于存储接触件上；电容器，电连接到存储垫；界面层，包括位于电容器上的氢阻挡膜和氢旁路膜；以及接触插塞，穿透界面层，并且电连接到电容器。氢阻挡膜包括绝缘材料，氢旁路膜包括导电材料。

然而，本公开的方面不限于在此阐述的方面。通过参照以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面将对本公开所属的领域的普通技术人员变得更加清楚。

附图说明

通过参照附图详细地描述本公开的实施例，本公开的以上和其他方面和特征将变得更加清楚，在附图中：

图1是根据一些实施例的半导体装置的布局图；

图2是图1的区域R1的放大图；

图3是沿着图1和图2的线A-A'截取的剖视图；

图4是图3的区域R2的放大图；

图5是图3的区域R3的放大图；

图6是示出图5的界面层的氢扩散率的示意性曲线图；

图7是图5的半导体装置的操作的图；

图8是根据一些实施例的半导体装置的图；

图9是根据一些实施例的半导体装置的图；

图10是根据一些实施例的半导体装置的图；

图11是根据一些实施例的半导体装置的图；