[发明专利]一种金属砷晶体脱碘方法有效
申请号: | 202110464611.1 | 申请日: | 2021-04-28 |
公开(公告)号: | CN113265703B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 梁彦杰;邓方杰;刘振兴;杨志辉;彭聪;赵飞平;周元;康丽;周艺伟 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C30B29/02 | 分类号: | C30B29/02;C30B33/02;C30B33/00 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 盛武生 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 晶体 方法 | ||
本发明公开了一种金属砷晶体中残余碘的高效脱除方法。在密闭容器中,加入特制的活性炭核壳材料,将含有碘的待处理金属砷晶体在特定温控体系下进行退火,并同步将退火气氛冷凝处理。本发明在维持As的晶体结构及形态条件下,有效改善砷和碘的分离选择性,有助于获得超高纯度的抗氧化金属砷晶体。
技术领域
本发明属于冶金技术及材料科学与工程领域,涉及一种金属砷晶体中高效脱除碘的方法。
背景技术
砷元素的独特理化性质,在高性能材料的研发领域逐渐展现巨大的潜力。其主要的原料应用形式为高纯金属砷,目前制备高纯砷的方法有真空冶金法及其改进方法(中国专利CN101054168、中国专利CN101935767A),氯化还原法及其改进方法(中国专利CN101144125、中国专利CN104975191A、中国专利CN103184354A),但是制备的金属砷结构较为复杂,孪晶程度严重。在制备砷单晶的方法中,目前比较先进的方法是专利CN111455460A所载的,利用调质剂碘或者碘化物的作用,转化生长形成单晶砷。此种方法生长的单晶砷中,会潜在掺入少量碘元素,影响金属砷单晶的使用,亟待进一步进行处理获得超低残余的单晶砷。然而,现有技术中缺乏从金属砷晶体中有效脱碘的方法。
发明内容
为了解决单晶砷中的残余痕量碘问题,本发明提供了一种单晶砷晶体中高效去除残余碘元素的方法,旨在维持砷单晶的结构特征的前提下,还有效实现砷和碘的高效分离,改善脱碘效果。
采用碘调制方法制得的金属砷晶体的碘在晶体整体结构中均有分布,其中,位于深部的碘的脱出难度大,另外,气相中残余碘又易于在砷晶体表面冷凝,易造成脱除效果不理想,并导致砷晶体表面和核质量不均匀;其次,砷晶体在处理过程中,容易破坏原有砷晶体表面结构;针对金属砷和碘分离选择性差、分离过程中容易导致金属砷晶相结构改变以及质量不均匀等问题,本发明提供以下技术方案:
一种金属砷晶体脱碘方法,将含有碘的待处理金属砷晶体在200~400℃下退火,并同步将退火的气氛在小于或等于150℃下进行冷凝处理,获得脱碘的金属砷晶体;
退火和/或冷凝处理体系中含有核壳材料;
所述的核壳材料中,核为活性炭,包覆核的壳体材料为沸石、氧化铝中的至少一种。
本发明研究发现,创新地在所述结构的核壳材料辅助下进行所述的退火和冷凝步骤,进一步配合温度条件的联合控制,能够意外地产生协同,有助于维持As的晶相结构以及形态,不仅如此,还能够有效改善As和I的分离选择性,诱导深层碘的脱除,并降低表层碘的再富集,改善脱碘效果。本发明技术方案,能够实现As中的低浓度碘的高效脱除,有助于获得超高纯度的As产品。
本发明中,所述的核壳材料结构控制以及退火-冷凝工艺下的温度的联合控制是维持As晶相结构并改善As和I分离选择性的关键。
本发明中,所述的核为活性炭颗粒或者块体;
优选地,所述的活性炭的颗粒尺寸大于或等于1mm;优选为1~20mm。
优选地,所述的壳为壳体材料的颗粒或者块体;
优选地,所述的壳体材料的颗粒尺寸大于或等于1mm;其颗粒尺寸为1~20mm;
所述的核壳材料还包括外网以及内网,其中,内网设置在外网腔室内;
内网腔室内填充有活性炭;内网和外网之间填充有壳体材料;其中,内网的网眼尺寸小于活性炭的D95颗粒粒径;外网的网眼尺寸小于壳体材料的D95颗粒粒径。
所述的核壳结构可以呈任意结构构造,例如,可以是呈核-壳结构的球体、圆柱体等。
本发明中,所述的核壳材料预先在100℃~350℃的温度下热处理;随后所述的脱碘。优选地,热处理的时间大于或等于2h。
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