[发明专利]一种金属砷晶体脱碘方法

权利要求书

1.一种金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：将含有碘的待处理金属砷晶体在200～400℃下退火，并将退火的气氛在小于或等于150℃下进行冷凝处理，获得脱碘的金属砷晶体；

退火和/或冷凝处理体系中含有核壳材料；

所述的核壳材料中，核为活性炭，包覆核的壳体材料为沸石、氧化铝中的至少一种。

2.如权利要求1所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：所述的核为活性炭颗粒或者块体。

3.如权利要求2所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：所述的活性炭的尺寸大于或等于1mm。

4.如权利要求3所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：所述的活性炭的尺寸为1～20mm。

5.如权利要求1所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：所述的壳为壳体材料的颗粒或者块体。

6.如权利要求1所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：所述的壳体材料的尺寸大于或等于1mm。

7.如权利要求6所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：所述的壳体材料的尺寸为1～20mm。

8.如权利要求1所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：所述的核壳材料还包括外网以及内网，其中，内网设置在外网腔室内；

内网腔室内填充有活性炭；内网和外网之间填充有壳体材料；其中，内网的网眼尺寸小于活性炭的D95颗粒粒径；外网的网眼尺寸小于壳体材料的D95颗粒粒径。

9.如权利要求1所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：所述的核壳材料预先在100℃～350℃的温度下热处理。

10.如权利要求1所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：热处理的时间大于或等于2h。

11.如权利要求1所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：在脱碘设备中进行脱碘过程；

所述的脱碘设备包括反应腔室，所述的反应腔室包括退火区以及冷凝区，退火区以及冷凝区独立控温；

所述的待处理金属砷晶体设置在退火区；

所述的核壳材料设置在所述的反应腔室内；

所述的核壳材料和待处理金属砷晶体相互独立设置。

12.如权利要求11所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：核壳材料在反应腔室内的装填体积百分比大于或等于10％。

13.如权利要求12所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：核壳材料在反应腔室内的装填体积百分比为10～50％。

14.如权利要求1所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：所述的待处理金属砷晶体由单质砷和含碘调质剂在650～700℃下反应并在480～550℃温度下结晶得到；

所述的含碘调质剂为单质碘和/或三碘化砷。

15.如权利要求11所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：退火区的温度为300～400℃。

16.如权利要求11所述的金属砷晶体脱碘方法，其特征在于：冷凝区的温度小于或等于140℃。

17.一种实施权利要求1～16任意所述的金属砷晶体脱碘方法的脱碘设备，其特征在于：包括反应腔室，所述的反应腔室包括退火区以及冷凝区，退火区以及冷凝区独立控温；

所述的待处理金属砷晶体设置在退火区；

所述的核壳材料设置在所述的反应腔室内；

所述的核壳材料和待处理金属砷晶体相互独立设置。