[发明专利]自退火芯片及自退火系统

权利要求书

1.一种自退火芯片，包括：控制模块和加热模块，所述控制模块包括PMOS总剂量辐射探头，

其中，所述PMOS总剂量辐射探头在受到外部辐射时阈值电压减小；所述控制模块用于接收参考电压，并在所述阈值电压减小至不超过所述参考电压的情况下输出第一控制信号从而控制所述加热模块进行发热；在加热过程中所述阈值电压恢复；所述控制模块还用于在所述阈值电压恢复至大于所述参考电压的情况下输出第二控制信号从而控制所述加热模块停止发热。

2.根据权利要求1所述的自退火芯片，其中，所述控制模块还包括：

比较器，其正相输入端与所述PMOS总剂量辐射探头的输出端连接以接收所述阈值电压，其反相输入端用于接收所述参考电压，其输出端用于输出所述第一控制信号和所述第二控制信号的其中之一。

3.根据权利要求1所述的自退火芯片，其中，所述加热模块包括P型MOSFET和发热元件，其中：

所述P型MOSFET的源极用于接收激励信号，栅极用于接收所述控制信号，漏极与所述发热元件的一端连接；所述发热元件的另一端用于与参考地连接；

在激励信号大于控制信号时，所述P型MOSFET导通并产生导通电流，所述发热元件在接收到所述导通电流时发热。

4.根据权利要求3所述的自退火芯片，其中，所述自退火芯片包括衬底以及位于所述衬底上的介质层和金属互连层，所述衬底包括场区和有源区，所述发热元件位于所述场区上的介质层中并环绕所述有源区。

5.根据权利要求4所述的自退火芯片，其中，所述发热元件经由所述金属互连层与所述P型MOSFET的漏极电连接。

6.根据权利要求5所述的自退火芯片，其中，所述发热元件与所述金属互连层之间经由多个第一接触孔实现电连接；所述P型MOSFET的源极与所述金属互连层之间经由多个第二接触孔实现电连接。

7.根据权利要求3所述的自退火芯片，其中，所述发热元件为连续弯曲型排布。

8.根据权利要求3所述的自退火芯片，其中，所述发热元件与所述P型MOSFET的栅极同步制作形成。

9.根据权利要求1-8任一项所述的自退火芯片，其中，所述参考电压小于所述PMOS总剂量辐射探头在正常状态下的阈值电压，且二者的差值在0.15V～0.35V之间。

10.一种自退火系统，其中，包括待保护芯片以及如权利要求1-9中任一项所述的自退火芯片，

其中，所述自退火芯片与所述待保护芯片位于同一封装结构内，或者所述自退火芯片与所述待保护芯片位于同一半导体结构内。