[发明专利]硅通孔阵列

说明书

本公开涉及一种硅通孔阵列，属于半导体器件领域，能够抑制信号的耦合，提高信号的完整性。一种硅通孔阵列，该硅通孔阵列包括信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5。

技术领域

本公开涉及半导体器件领域，具体地，涉及一种硅通孔阵列。

背景技术

随着三维集成的发展，信号通过硅通孔(Through Silicon Via，TSV)阵列进行传播，在有限的硅面积上往往会放置上千个TSV。随着信号频率的增加，信号的耦合会愈发严重，严重影响了信号的完整性。目前，降低TSV信号耦合的方法通常是在信号TSV旁放置屏蔽接地TSV，利用屏蔽接地TSV的优势来降低信号耦合。然而，如何更有效地抑制信号的耦合、提高信号的完整性，是亟待解决的技术问题。

发明内容

本公开的目的是提供一种硅通孔阵列，能够抑制信号的耦合，提高信号的完整性。

根据本公开的第一实施例，提供一种硅通孔阵列，该硅通孔阵列包括信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5。

可选地，所述信号硅通孔为差分信号硅通孔，而且所述屏蔽接地TSV被布置在两对所述差分信号硅通孔之间。

可选地，一对所述差分信号硅通孔的中心距比一对单端信号硅通孔的中心距小。

可选地，所述一对单端信号硅通孔的中心距为至少40微米。

可选地，一对所述差分信号硅通孔的中心距为一对单端信号硅通孔的中心距的一半。

可选地，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔的深度为至少30微米。

可选地，所述N为8。

通过采用上述技术方案，由于信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔交错排布，而且采用了正N边形排布(N≥5)，因此能够有效地增加信号硅通孔之间的距离(也即，对于周围环绕的信号硅通孔来说，其之间的距离相较于传统的网格排布而言会更大)，而信号距离是影响耦合干扰的重要因素，信号距离越大，TSV耦合越小，因此能够有效地抑制信号的耦合，提高信号的完整性。

本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1是根据本公开一种实施例的硅通孔阵列的示意图。

图2示出了根据本公开实施例的交错排布的示意图。

图3示出了根据现有技术的并列排布的示意图。

图4是根据本公开一种实施例的硅通孔阵列的又一示意图。

图5示出了根据现有技术的网格差分交错排布的示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。

图1是根据本公开一种实施例的硅通孔阵列的示意图。如图1所示，该硅通孔阵列包括信号硅通孔S和屏蔽接地硅通孔G，其中，信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5，例如可以为正八边形。

图1中示意性地示出了6个信号硅通孔S1-S6，但是本领域技术人员应当理解的是，图1仅是示意，不构成对本公开的限制。图2示出了根据本公开实施例的交错排布的示意图，以及图3示出了根据现有技术的并列排布的示意图。