[发明专利]硅通孔阵列有效
| 申请号： | 202110450323.0 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113192928B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张卫;刘子玉;蒋涵;陈琳;孙清清 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 曹寒梅 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 阵列 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅通孔阵列，其特征在于，该硅通孔阵列包括信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5；
其中，所述信号硅通孔为差分信号硅通孔，而且所述屏蔽接地硅通孔 被布置在两对所述差分信号硅通孔之间；
其中，一对所述差分信号硅通孔的中心距比一对单端信号硅通孔的中心距小。
2.根据权利要求1所述的硅通孔阵列，其特征在于，所述一对单端信号硅通孔的中心距为至少40微米。
3.根据权利要求1所述的硅通孔阵列，其特征在于，一对所述差分信号硅通孔的中心距为一对单端信号硅通孔的中心距的一半。
4.根据权利要求1所述的硅通孔阵列，其特征在于，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔的深度为至少30微米。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的硅通孔阵列，其特征在于，所述N为8。
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