[发明专利]超级结器件零层标记制作方法和零层标记结构有效
| 申请号： | 202110447809.9 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113257672B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 赵蕴琦;谷云鹏;马栋;陈正嵘;李晴;倪运春;王岩;谭建兵 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/32 | 分类号： | H01L21/32;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超级 器件 标记 制作方法 结构 | ||
1.一种超级结器件零层标记制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1）提供衬底；
S2）在衬底表面形成超级结结构；
S3）从超级结结构上表面，沿垂直衬底上表面方向，向下形成标记槽，标记槽贯穿超级结结构，并深入至衬底内部；
S4）在标记槽内形成填充材料层，形成零层标记，该零层标记的深宽比范围大于0.15且小于0.25。
2.如权利要求1所述的超级结器件零层标记制作方法，其特征在于：该零层标记的深宽比范围为大于0.1且小于0.5。
3.如权利要求1所述的超级结器件零层标记制作方法，其特征在于：所述超级结器件的硬掩模版是气相沉积法（PECVD）生长的聚氧化乙烯（PEOX）。
4.如权利要求1-3任意一项所述的超级结器件零层标记制作方法，其特征在于：所述零层标记是零层套刻标记和/或零层对位标记。
5.一种超级结器件零层标记结构，包括：在衬底表面形成的超级结结构，从超级结结构上表面，沿垂直衬底上表面方向，向下形成的标记槽，标记槽贯穿超级结结构，并深入至衬底内部，在标记槽内形成填充材料层形成的零层标记，其特征在于：该零层标记的深宽范围大于0.15且小于0.25。
6.如权利要求5所述的超级结器件零层标记结构，其特征在于：该零层标记的深宽比范围为大于0.1且小于0.5。
7.如权利要求5所述的超级结器件零层标记结构，其特征在于：所述超级结器件的硬掩模版是气相沉积法（PECVD）生长的聚氧化乙烯（PEOX）。
8.如权利要求5-7任意一项所述的超级结器件零层标记结构，其特征在于：所述零层标记是零层套刻标记和/或零层对位标记。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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