[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池制作方法在审
申请号: | 202110436610.6 | 申请日: | 2021-04-22 |
公开(公告)号: | CN113285028A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 张正国;刘海;柯义虎 | 申请(专利权)人: | 北方民族大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L21/66 |
代理公司: | 北京欣鼎专利代理事务所(普通合伙) 11834 | 代理人: | 卢萍 |
地址: | 750021 宁夏回族*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池制作方法,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池制作方法包括:
(1)将ITO导电基底分别用洗洁精、丙酮、无水乙醇、去离子水在超声清洗机中各超声指定时间,之后用干净的氮气流干燥。将干燥之后的基底用紫外臭氧照射一定的时间;
(2)在指定压强的真空条件下热蒸发沉积在ITO玻璃上的CuPc材料,在ITO表面形成空穴传输层;
(3)称取指定质量的FAI,PbI2,MABr,PbBrmg溶于混合溶剂中,加入指定体积的CsI溶液,得到钙钛矿前驱体溶液;
(4)通过溶液法将得到钙钛矿前驱体溶液,涂覆在经过(2)处理的ITO玻璃上,在涂覆结束时滴加适量氯苯。将涂覆完成的ITO玻璃放置在100℃的加热板上退火,得到钙钛矿光吸收层;
(5)称取相对质量的PCBM粉末溶于指定体积的氯苯中,将得到PCBM的溶液在指定转速下涂覆到ITO玻璃上的钙钛矿光吸收层,得到沉积的PCBM电子传输层;
(6)将一定质量的BCP粉末溶于指定体积的异丙醇中得到BCP溶液,并将BCP溶液以指定转速涂覆至ITO玻璃上的PCBM电子传输层,得到沉积的BCP空穴阻挡层;
(7)在BCP层上制备金属电极,得到完整的钙钛矿太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池制作方法,其特征在于,所述氮气干燥可以避免气体同水中融解的其他物质产生化学反应而生成沉淀;紫外臭氧照射一定的时间能够杀死ITO玻璃表面细菌,能够保证制作的基片表面清洁。
3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池制作方法,其特征在于,所述CuPc膜层的厚度和沉积速率由膜厚仪实时监测。为了提高钙钛矿在CuPc表面的覆盖率,须要在CuPc表面叠加一层表面修饰层PEI。将获得的ITO-CuPc样品放入氮气氛围的手套箱里,将PEI粉末以0.4%的质量比溶解于乙二醇甲醚中得到PEI溶液,然后通过台式匀胶机以5000r/min的速度旋涂到样品,保持30s,并将其放置1~2h。
4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池制作方法,其特征在于,所述混合溶剂由DMF与DMSO的体积比为4:1混合构成。
5.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池制作方法,其特征在于,所述CsI溶液由CsI粉末溶于DMSO中的浓度为1.5mol/L混合构成。
6.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池制作方法,其特征在于,所述金属电极通过真空镀膜设备制备在ITO玻璃上的BCP层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择