[发明专利]一种巨量转移芯片的制作方法

说明书

本发明属于芯片技术领域，提供一种巨量转移芯片的制作方法，通过半蚀刻工艺将成品硅片蚀刻出包括多块单硅片的整片硅片，多块单硅片中相邻的单硅片之间设置有具备预设深度的连接槽，连接槽将多块单硅片连接为一个整体且因其预设深度而易于将连接为一个整体的多块单硅片划分为分开的单硅片。再通过制作具备多个焊盘的整片基板，在多个焊盘中填充焊料以对应固化多块单硅片，让整片硅片与整片基板连接固定构成产品级芯片，从而可有效避免后续工艺中大量多次将单个硅片分开转移到单个基板进行连接，提升整个封装测试的效率，降低封装测试的难度，实现巨量转移的技术效果。

技术领域

本发明属于芯片技术领域，尤其涉及一种巨量转移芯片的制作方法。

背景技术

芯片技术作为电子信息技术的底层技术，是电子信息产品不可或缺的一部分关键技术。在芯片技术中，包括封装测试技术，该技术从工艺上大体包括固晶、焊线、点胶/模压、烘烤、切割、分选测试以及焊接/安装等环节。

其中，固晶是指将硅片固定在基板上；焊线是指将硅片电极与基板连接，实现电信号导通，当然若是倒装产品则无需经过焊线环节。再经过点胶/模压、烘烤、切割以及分选测试等环节后，便可以将基板背面焊盘通过SMT与PCB板连通，完成封装测试。

虽然，现有的封装测试技术能够实现芯片的封装测试，但是其通常的做法是在固晶环节之前，将整片的硅片切割成单个的硅片，整片的基板对应单个硅片分割成多块单个基板，再将单个硅片与单个基板进行焊线连接，进行封装测试，这使得进行封装测试的产品级的芯片的结构为单个硅片与单个基板的结合体，从而造成整个测试工艺复杂，不能实现批量测试。更为严重的是，单个硅片与单个基板转移连接，使得整个封装测试技术的难度提升，效率降低，越来越不能满足半导体封装技术高密度化和高性能化的要求。

综上所述，现有的芯片封装测试技术存在单个基板与单个硅片焊线连接，焊线转移难度大，效率低，测试复杂的技术问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，一方面，本发明提供一种巨量转移芯片的制作方法，该方法包括：

通过半蚀刻工艺将成品硅片蚀刻出整片硅片；所述整片硅片包括多块单硅片；所述多块单硅片中相邻的单硅片之间设置有具备预设深度的连接槽，所述连接槽将所述多块单硅片连接为一个整体且因其预设深度而易于将连接为一个整体的多块所述单硅片划分为分开的单硅片；

制作具备多个焊盘的整片基板，在所述多个焊盘中填充焊料以对应固化所述多块单硅片，让所述整片硅片与所述整片基板连接固定。

进一步地，巨量转移芯片的制作方法，还包括：

对所述连接槽底部进行开口划片，直至与所述连接槽连通，在所述整片硅片上形成多个连通口；

通过所述连通口向所述连接槽内填充绝缘物质直至所述绝缘物质填充满出所述连通口的入口；

沿着所述连通口的入口，穿过所述绝缘物质切断所述整片硅片和所述整片基板，以得到分开的多片单芯片。

改进地，所述的对所述连接槽底部进行开口划片包括：

通过激光切割对所述连接槽底部进行开口划片。

改进地，对所述连接槽底部进行开口划片时，划片入口点选取在所述连接槽的宽度范围内，所述连通口在所述连接槽的宽度范围内且所述连通口的宽度小于所述连接槽的宽度。

改进地，巨量转移芯片的制作方法还包括：在所述连通口入口所在的平面上，给所述整片硅片的底面固定一层绝缘物质以覆盖所述整片硅片的底面。

改进地，巨量转移芯片的制作方法中，所述绝缘物质为模塑料。

改进地，巨量转移芯片的制作方法中，穿过所述绝缘物质切断所述整片硅片和所述整片基板时，切口宽度小于所述连通口的宽度。