[发明专利]一种巨量转移芯片的制作方法

权利要求书

1.一种巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，包括：

通过半蚀刻工艺将成品硅片蚀刻出整片硅片；所述整片硅片包括多块单硅片；所述多块单硅片中相邻的单硅片之间设置有具备预设深度的连接槽，所述连接槽将所述多块单硅片连接为一个整体且因其预设深度而易于将连接为一个整体的多块所述单硅片划分为分开的单硅片；

制作具备多个焊盘的整片基板，在所述多个焊盘中填充焊料以对应固化所述多块单硅片，让所述整片硅片与所述整片基板连接固定。

2.如权利要求1所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，还包括：

对所述连接槽底部进行开口划片，直至与所述连接槽连通，在所述整片硅片上形成多个连通口；

通过所述连通口向所述连接槽内填充绝缘物质直至所述绝缘物质填充满出所述连通口的入口；

沿着所述连通口的入口，穿过所述绝缘物质切断所述整片硅片和所述整片基板，以得到分开的多片单芯片。

3.如权利要求2所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，所述的对所述连接槽底部进行开口划片包括：

通过激光切割对所述连接槽底部进行开口划片。

4.如权利要求2所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，对所述连接槽底部进行开口划片时，划片入口点选取在所述连接槽的宽度范围内，所述连通口在所述连接槽的宽度范围内且所述连通口的宽度小于所述连接槽的宽度。

5.如权利要求2所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，还包括：在所述连通口入口所在的平面上，给所述整片硅片的底面固定一层绝缘物质以覆盖所述整片硅片的底面。

6.如权利要求2或5所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，所述绝缘物质为模塑料。

7.如权利要求4所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，穿过所述绝缘物质切断所述整片硅片和所述整片基板时，切口宽度小于所述连通口的宽度。

8.如权利要求1所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，在所述多个焊盘中填充焊料以对应固化所述多块单硅片包括：在所述多个焊盘中填充一层锡膏以对应固化所述多块单硅片。

9.如权利要求1所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，所述整片基板包括：从上至下依次连接的油墨层、金属层以及绝缘层；

在所述油墨层设置所述多个焊盘，在所述多个焊盘中填充焊料以对应固化所述多块单硅片，让所述整片硅片与所述油墨层连接固化。

10.如权利要求1所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，所述连接槽包括第一侧面、第二侧面以及连接底面；所述第一侧面和所述第二侧面相对设置，所述第一侧面的底端和所述第二侧面的底端与所述连接底面连接。