[发明专利]一种对半导体层减薄的方法及其应用

说明书

本发明涉及一种对半导体层减薄的方法及其应用。一种对半导体层减薄的方法，包括：提供一种半导体结构，所述半导体结构的表面设有半导体层；利用喷嘴向所述半导体层喷洒腐蚀液，以进行湿法刻蚀，并且湿法刻蚀过程中使喷嘴沿所述半导体层的表面进行直线往复移动，同时所述半导体结构不断旋转，并且所述半导体层与所述喷嘴之间的距离始终不变。本发明通过旋转喷涂模式可以实现材料的大面积均匀刻蚀。

技术领域

本发明涉及半导体生产工艺领域，特别涉及一种对半导体层减薄的方法及其应用。

背景技术

目前对于8英寸以及8英寸以上的晶元，保证整个晶圆表面的均匀性是实现高良率的重要指标，例如在Si晶圆表面沉积或者外延锗/锗硅材料时，受限于Ge和Si之间较大的晶格失配率，不管是组分渐变还是高低温生长技术都需要生长足够厚的缓冲层才能实现高质量的薄膜生长。尤其对于锗的晶元键合来说，足够光滑的表面是键合成功的前提。这些都要求光滑高质量的锗缓冲层来实现高质量并且光滑的表面。

同时，在绝缘体上锗/锗硅应用中，全耗尽或者纳米线等器件的实现的特征尺寸不断缩小，器件尺寸的微缩要求材料必须足够薄，这就让薄膜减薄成为全耗尽或者纳米线等器件等进行器件制备的关键环节，而且大面积均匀减薄是实现晶圆表面器件高良率的前提。

可见，在半导体器件的很多制程中都需要对半导体材料进行减薄，而目前的减薄方法都存在减薄不均匀的问题。

为此，提出本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种对半导体层减薄的方法，该方法通过旋转喷涂模式可以实现材料的大面积均匀刻蚀。

为了实现以上目的，本发明提供了以下技术方案。

一种对半导体层减薄的方法，包括：

提供一种半导体结构，所述半导体结构的表面设有半导体层；

利用喷嘴向所述半导体层喷洒腐蚀液，以进行湿法刻蚀，并且湿法刻蚀过程中使喷嘴沿所述半导体层的表面进行直线往复移动，同时所述半导体结构不断旋转，并且所述半导体层与所述喷嘴之间的距离始终不变。

与现有技术相比，本发明达到了以下技术效果：

(1)本发明首先通过半导体结构的旋转使半导体层表面在圆周方向上均匀刻蚀，其次还使腐蚀液沿半导体层表面直线往复运动，这样通过直线方向和圆周方向的旋转结构，使半导体层在二维方向各个点都得到均匀刻蚀。

(2)该减薄方法不受半导体层表面积的限制，既适用于大面积均匀刻蚀减薄，也适用于小面积均匀刻蚀减薄。

(3)该减薄方法适用于任意半导体器件的制程中。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。

图1为本发明提供的一种衬底的结构示意图；

图2为本发明提供的另一种衬底的结构示意图；

图3为本发明提供的另一种衬底的结构示意图；

图4为本发明湿法刻蚀过程中喷嘴和衬底的运动方向示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。