[发明专利]一种对半导体层减薄的方法及其应用在审
| 申请号： | 202110410522.9 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113314406A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 孔真真;亨利·H·阿达姆松;王桂磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对半 导体 层减薄 方法 及其 应用 | ||
1.一种对半导体层减薄的方法，其特征在于，包括：
提供一种半导体结构，所述半导体结构的表面设有半导体层；
利用喷嘴向所述半导体层喷洒腐蚀液，以进行湿法刻蚀，并且湿法刻蚀过程中喷嘴沿所述半导体层的表面进行直线往复移动，同时所述半导体结构不断旋转，并且所述半导体层的表面与所述喷嘴之间的距离始终不变。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述湿法刻蚀之前还进行化学机械抛光处理。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述湿法刻蚀之后还进行化学机械抛光处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腐蚀液为双氧水溶液、硝酸溶液、氢氟酸溶液和BOE溶液中的一种或多种混合；
或者所述腐蚀液为Ⅲ-Ⅴ族材料刻蚀液。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构由托盘承托，并且通过所述托盘的旋转使所述半导体结构旋转。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构为衬底。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅上外延硅、锗硅、锗或Ⅲ-Ⅴ族材料薄膜衬底，绝缘体上延硅、锗硅、锗或Ⅲ-Ⅴ族材料衬底，或者绝缘体上层叠延硅、锗硅、锗或Ⅲ-Ⅴ族材料层和硅/锗硅/锗与Ⅲ-Ⅴ族材料的复合材料层衬底。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述衬底为圆形衬底，在所述湿法刻蚀过程中所述喷嘴沿所述衬底的径向直线往复运动。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层选自硅、锗硅、锗或Ⅲ-Ⅴ族材料。
10.权利要求1-9任一项所述的对半导体层减薄的方法在半导体器件制作中的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
