[发明专利]存储器组件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器组件的制造方法，包括：

提供衬底，其中所述衬底包括阵列区与周边区；

在所述衬底上依序形成堆叠层、控制结构、硬掩膜层以及掩膜图案，其中所述控制结构至少包括第一停止层、第一氧化物层、第二停止层以及第二氧化物层；

在所述周边区的所述掩膜图案中形成光刻胶层；

以所述光刻胶层与所述掩膜图案为掩膜，移除所述阵列区中的部分所述硬掩膜层、部分所述第二氧化物层以及部分所述第二停止层，进而在所述阵列区中形成多个第一开口；

在移除所述光刻胶层之后，移除所述周边区中的部分所述硬掩膜层，以在所述周边区中形成至少一第二开口；

进行第一蚀刻工艺，移除部分所述控制结构，以将所述多个第一开口与所述第二开口延伸至所述控制结构中，进而形成多个第三开口与至少一第四开口，其中所述第四开口的底面高于所述多个第三开口的底面；以及

进行第二蚀刻工艺，移除部分所述堆叠层，以将所述多个第三开口与所述第四开口延伸至所述堆叠层中，进而形成多个第五开口与至少一第六开口。

2.根据权利要求1所述的存储器组件的制造方法，其中所述多个第一开口暴露出所述阵列区的所述第一氧化物层的顶面，而所述第二开口暴露出所述周边区的所述第二氧化物层的顶面。

3.根据权利要求1所述的存储器组件的制造方法，其中所述多个第三开口暴露出所述阵列区的所述堆叠层的顶面，而所述第四开口暴露出所述周边区的所述第一停止层的顶面。

4.根据权利要求1所述的存储器组件的制造方法，其中所述第一停止层及所述第二停止层的材料与所述第一氧化物层及所述第二氧化物层的材料不同。

5.根据权利要求1所述的存储器组件的制造方法，其中所述多个第五开口的宽度小于所述第六开口的宽度。

6.一种存储器组件，包括：

衬底，包括阵列区与周边区；

多个第一堆叠结构，配置在所述阵列区的所述衬底上，其中每一个第一堆叠结构依序包括：第一穿隧介电层、第一浮置栅极、第一栅间介电层、第一控制栅极、第一金属层、第一顶盖层以及第一停止层；以及

多个第二堆叠结构，配置在所述周边区的所述衬底上，其中每一个第二堆叠结构依序包括：第二穿隧介电层、第二浮置栅极、第二栅间介电层、第二控制栅极、第二金属层、第二顶盖层以及第二停止层。

7.根据权利要求6所述的存储器组件，其中所述多个第一堆叠结构的图案密度大于所述多个第二堆叠结构的图案密度。

8.根据权利要求6所述的存储器组件，其中所述多个第二堆叠结构包括选择栅极。

9.根据权利要求6所述的存储器组件，其中所述第一穿隧介电层与所述第二穿隧介电层相连，以形成连续的穿隧介电结构。

10.一种图案化的方法，包括：

在目标层上依序形成控制结构、硬掩膜层以及掩膜图案，其中所述控制结构包括彼此堆叠的多个停止层与多个氧化物层；

在所述硬掩膜层上的所述掩膜图案中形成光刻胶层；

以所述光刻胶层与所述掩膜图案为掩膜，移除部分所述硬掩膜层以及部分所述控制结构，进而形成多个第一开口；

移除所述光刻胶层及其下方的所述硬掩膜层，以形成至少一第二开口，其中所述第二开口的底面高于所述多个第一开口的底面；以及

进行一或多道蚀刻工艺，以将所述多个第一开口与所述第二开口延伸至所述控制结构与所述目标层中，进而将所述目标层与所述控制结构分隔成多个堆叠结构。