[发明专利]显示面板、显示基板及衬底的制备方法、衬底在审
| 申请号: | 202110395613.X | 申请日: | 2021-04-13 |
| 公开(公告)号: | CN113130534A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
| 发明(设计)人: | 段正;郭康;刘震;谷新;袁广才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28 |
| 代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 陈蕾 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 衬底 制备 方法 | ||
1.一种衬底的制备方法,其特征在于,包括:
提供基板,所述基板的一侧的表面包括多个第一区域和多个第二区域,所述第一区域和所述第二区域沿着预设方向交错排列;
在各所述第一区域上均形成间隔设置的多个纳米柱,以使设有所述纳米柱的所述第一区域的接触角大于所述第二区域的接触角。
2.根据权利要求1所述的衬底的制备方法,其特征在于,在各所述第一区域上均形成间隔设置的多个纳米柱包括:
形成覆盖各所述第一区域的辅助层;
图案化所述辅助层,以在各所述第一区域上均形成间隔设置的多个纳米柱。
3.根据权利要求2所述的衬底的制备方法,其特征在于,所述辅助层覆盖所述第二区域;图案化所述辅助层包括:
图案化所述辅助层对应于所述第一区域的部分,并去除所述辅助层对应于所述第二区域的部分。
4.根据权利要求1-3任一项所述的衬底的制备方法,其特征在于,图案化所述辅助层包括:
通过光刻工艺图案化所述辅助层。
5.根据权利要求4所述的衬底的制备方法,其特征在于,所述辅助层的材料为有机胶材。
6.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
采用权利要求1-5任一项所述的衬底的制备方法制备衬底;
通过碳纳米管溶液在所述第二区域上形成碳纳米管薄膜。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
去除所述纳米柱。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括权利要求6或7所述的显示基板的制备方法。
9.一种衬底,其特征在于,包括:
基板,所述基板的一侧的表面包括多个第一区域和多个第二区域,所述第一区域和所述第二区域沿着预设方向交错排列;
纳米柱,各所述第一区域均设有间隔设置的多个所述纳米柱,以使设有所述纳米柱的所述第一区域的接触角大于所述第二区域的接触角。
10.根据权利要求9所述的衬底,其特征在于,所述纳米柱的材料为有机胶材。
11.根据权利要求9所述的衬底,其特征在于,所述纳米柱的高度等于10nm-200nm。
12.根据权利要求9所述的衬底,其特征在于,所述纳米柱的横截面的最大尺寸等于5nm-200nm。
13.根据权利要求9所述的衬底,其特征在于,相邻的两个所述纳米柱之间的距离等于50nm-200nm。
14.根据权利要求9所述的衬底,其特征在于,设于各所述第一区域的多个所述纳米柱呈阵列分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





