[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 202110393607.0 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN113161275B 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 冯琳 申请(专利权)人: 上海广川科技有限公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 陶金龙;吴世华
地址: 200444 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括腔体和控制装置,所述腔体具有相对设置的腔顶部和腔底部,所述控制装置连接机械手,控制所述机械手沿传送路径自所述腔顶部与所述腔底部之间传送晶圆,其特征在于,

所述腔顶部设有腔顶凹槽,所述腔顶凹槽具有若干顶通孔,所述腔顶凹槽自所述腔顶部的外表面垂直延伸至所述腔顶部内,所述顶通孔自所述腔顶凹槽的底部贯穿所述腔顶部;

所述腔底部设有对应所述腔顶凹槽的腔底凹槽,所述腔底凹槽具有若干对应所述顶通孔的底通孔,所述腔底凹槽自所述腔底部的外表面垂直延伸至所述腔底部内,所述底通孔自所述腔底凹槽的底部贯穿所述腔底部;

所述顶通孔内设有顶传感件,所述顶传感件具有可拆卸连接的顶传感部和顶传感连接部,所述顶传感连接部可拆卸连接所述腔顶凹槽;所述底通孔内设有底传感件,所述底传感件具有可拆卸连接的底传感部和底传感连接部,所述底传感连接部可拆卸连接所述腔底凹槽;所述顶传感部和所述底传感部沿所述传送路径相对设置,且分别面向所述晶圆的正面和底面并连接所述控制装置。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述顶通孔和所述底通孔的数量分别均为2个,所述顶传感部包括分设于所述顶通孔内的第一顶传感端和第二顶传感端,所述底传感部包括分设于底通孔内的第一底传感端和第二底传感端,所述第一底传感端对应所述第一顶传感端,所述第二底传感端对应所述第二顶传感端。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述第一顶传感端与所述第一底传感端之间具有第一连线,所述第二顶传感端与所述第二底传感端之间具有第二连线;所述机械手传送所述晶圆,所述晶圆垂直穿过所述第一连线和所述第二连线。

4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,所述第一连线和所述第二连线分别位于所述晶圆的圆心的两侧。

5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述第一顶传感端和所述第二顶传感端之间的第三连线垂直于所述传送路径,且所述第三连线的长度大于零,且小于所述晶圆的直径。

6.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述晶圆的直径为300mm,所述第三连线的长度为200mm。

7.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,所述第一顶传感端和所述第一底传感端形成第一光学传感组件,所述晶圆垂直穿过所述第一连线,所述晶圆的第一边缘点和相对的第二边缘点分别穿过所述第一连线生成第一位置信息和第二位置信息。

8.如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,所述第二顶传感端和所述第二底传感端形成第二光学传感组件,所述晶圆垂直穿过所述第二连线,所述晶圆的第三边缘点和相对的第四边缘点分别穿过所述第二连线生成第三位置信息和第四位置信息。

9.如权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,根据所述第一位置信息、第二位置信息、第三位置信息和第四位置信息生成所述晶圆的圆心位置信息。

10.如权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,所述第一光学传感组件和所述第二光学传感组件分别包括反射式光学传感组件和透射式光学传感组件。

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