[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成图案的方法，包括：

在底层之上形成第一图案，所述第一图案包括主图案和横向突起，所述横向突起的厚度小于所述主图案的厚度的25％；

在所述第一图案之上形成硬掩模层；

执行平坦化操作，以在不暴露所述横向突起的情况下暴露所述第一图案；

通过在所述横向突起被所述硬掩模层覆盖的同时去除所述第一图案，来形成硬掩模图案；以及

使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模，来图案化所述底层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一图案是光致抗蚀剂图案，并且所述横向突起是抗蚀剂浮渣。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述光致抗蚀剂图案包括多个线图案，这些线图案在第一方向上延伸并且被布置成在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此平行，并且

所述硬掩模图案包括多个线图案，这些线图案在所述第一方向上延伸并且被设置在所述光致抗蚀剂图案的多个间隔所处的位置处。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述底层由导电材料制成，并且所述硬掩模图案由电介质材料制成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述底层由电介质材料制成，并且所述硬掩模图案由与所述底层不同的电介质材料制成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述底层包括有机材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硬掩模图案包括氮化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、或氮化钛中的一者或多者。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述硬掩模层是通过原子层沉积形成的。

9.一种形成图案的方法，包括：

在衬底之上形成要图案化的目标层；

在所述目标层之上形成底部抗反射涂覆(BARC)层；

在所述BARC层之上形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案包括抗蚀剂浮渣；

在所述光致抗蚀剂图案之上形成硬掩模层；

执行平坦化操作，以在不暴露所述抗蚀剂浮渣的情况下暴露所述光致抗蚀剂图案；

通过在所述抗蚀剂浮渣被所述硬掩模层覆盖的同时去除所述光致抗蚀剂图案，来形成硬掩模图案；

使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模，来图案化所述BARC层；以及

通过使用经图案化的BARC层和所述硬掩模图案作为蚀刻掩模，来图案化所述目标层。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在设置在半导体衬底之上的底层之上形成光致抗蚀剂层；

相对于所述光致抗蚀剂层和光掩模的掩模图案，确定来自所述光掩模的携带图案信息的光化辐射的最佳剂量；

确定小于所述最佳剂量的曝光剂量；

利用所确定的曝光剂量，将所述光致抗蚀剂层曝光于携带图案信息的所述光化辐射；

显影经曝光的光致抗蚀剂层，以形成经显影的抗蚀剂图案；

在所述经显影的抗蚀剂图案之上形成硬掩模层；

执行平坦化操作，以暴露所述经显影的抗蚀剂图案；

通过去除所述经显影的抗蚀剂图案，来形成硬掩模图案；以及

通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模，来图案化所述底层。