[发明专利]一种通过BSD后洗净降低重金属及雾状缺陷的方法

说明书

本发明提供了一种通过BSD后洗净降低重金属及雾状缺陷的方法，在BSD工序后，采用如下步骤进行清洗，步骤一，使用预清洗液进行预清洗，预清洗液包括氨水、双氧水以及去离子水，步骤二，蒸馏水清洗；步骤三，一次清洗液浸泡清洗，一次清洗液包括氢氟酸、柠檬酸以及去离子水；氢氟酸、柠檬酸以及去离子水的体积比为15:3～5:55～57，步骤四，二次清洗液浸泡清洗，二次清洗液包括盐酸、双氧水以及去离子水，盐酸以及双氧水的比例为1:1；步骤五，蒸馏水清洗；步骤六，采用硅片甩干机甩干。本专利有效的降低BSD带来的金属Ni以及Cu污染以及外延后雾状缺陷。

技术领域

本发明涉及硅片处理技术领域，具体涉及一种通过BSD后洗净降低重金属及雾状缺陷的方法。

背景技术

目前业界衬底硅片经外延后普遍存在金属偏高(尤其是Ni以及Cu)以及外延腐蚀后红雾的问题，外延后金属偏高会导致外延片表面微生缺陷、外延自掺杂等不良的产生，并且还会在器件端产生器件失效等严重不良影响。

目前业界常规只能通过不断加强最终洗净的清洗能力(延长洗净时间、提升洗净浓度、清洗槽体等)来一定程度上改善衬底硅片表面金属水平，但是对于Ni以及Cu等重金属一直没有彻底的改善，目前只能将金属控制在一定的水平；对于外延腐蚀后红雾缺陷问题，目前业界也并未找到真正的原因，初步排除了粗糙度问题，但是金属来源以及如何降金属问题也一直未得到实质性的解决。

外延后反馈金属Ni以及Cu偏高以及外延腐蚀后红雾问题一直是制约衬底厂商硅片表面质量的一大难题！

发明内容

本发明是为解决衬底在外延后金属Ni以及Cu超标以及外延腐蚀后红雾，提供了一种通过BSD后洗净降低重金属及雾状缺陷的方法。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

本发明提供了一种通过BSD后洗净降低重金属及雾状缺陷的方法，其特征在于，在BSD工序后，采用如下步骤进行清洗，

步骤一，使用预清洗液进行预清洗，预清洗液包括氨水、双氧水以及去离子水，所述氨水、双氧水以及去离子水的体积比为2:2:11；

氨水的质量百分比浓度为28％-31％，双氧水的质量百分比浓度为30％-32％；

步骤二，蒸馏水清洗；

步骤三，一次清洗液浸泡清洗，所述一次清洗液包括氢氟酸、柠檬酸以及去离子水；氢氟酸、柠檬酸以及去离子水的体积比为15:3～5:55～57；

氢氟酸质量百分比浓度为48％-50％，柠檬酸的质量百分比浓度为49％-51％；

步骤四，二次清洗液浸泡清洗，所述二次清洗液包括盐酸、双氧水以及去离子水，盐酸以及双氧水的比例为1:1，盐酸、双氧水以及去离子水的体积比为6～9:6～9:57-63；

盐酸的质量百分比浓度为36％-38％，双氧水的质量百分比浓度为30％-32％；

步骤五，蒸馏水清洗；

步骤六，采用硅片甩干机甩干。

常规半导体业界改善金属Ni以及Cu一般主要在最终洗净阶段进行，但是很难有较为明显的改善，主要原因为金属来源并不来源于BSD后续工程而是来源于BSD本工程，且经过BSD后续CVD等高温背封工艺后将BSD带来的金属封在了体内。本专利通过对BSD后清洗去金属进行了不断尝试，找到了最优去金属以及改善红雾缺陷的工艺，通过HCL+H₂O₂与柠檬酸H₃L的交配使用，可以有效的降低BSD带来的金属Ni以及Cu污染以及外延后雾状缺陷。

BSD(backsidedamage)中文名背面损伤。

进一步优选地，步骤二以及步骤五蒸馏水中氮气鼓泡。