[发明专利]钙钛矿薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110379718.6 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113571646A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 董桂芳;郭航;李哲威 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 张利杰 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种钙钛矿薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S11，提供一基底，在第一温度下对该基底进行加热；
S12，在所述基底表面加入钙钛矿前驱体溶液并使其形成一薄膜层，所述钙钛矿前驱体溶液中的溶质包括ThEAI、MAI或CsI或FAI、SnI2或PbI2中的一种；以及
S13，在第二温度下对该薄膜层进行加热，所述第二温度为100℃～150℃。
2.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱体溶液包括ThEAI、MAI、PbI2，且ThEAI、MAI、PbI2的摩尔比为2:(n-1):n，其中，1n8。
3.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱体溶液的溶剂为DMF。
4.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一温度为90℃～130℃。
5.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱体溶液中ThEAI的制备方法为：
在反应容器内将过量噻吩乙基胺溶于乙醇中，向该反应容器内缓慢滴加氢碘酸进行反应并搅拌；
将所述反应容器内的液体旋干并加入乙醇使旋干后得的固体完全溶解；以及
加入乙醚进行重结晶，收集重结晶组分。
6.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S12中利用旋涂法、狭缝涂布法、刮膜法、线棒涂布法或丝网印刷法制备所述薄膜层。
7.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤S12中引入SCN-和/或Cl-作为添加剂。
8.一种钙钛矿薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基底，并使该基底表面温度保持在90℃～130℃之间；
在所述基底表面滴入钙钛矿前驱体溶液并成膜，所述钙钛矿前驱体溶液中包括ThEAI、MAI或CsI或FAI、SnI2或PbI2中的一种。
9.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，该钙钛矿薄膜通过权利要求1-8任一权利要求所述的制备方法获得。
10.一种光电器件，其特征在于，包括如权利要求9所述的钙钛矿薄膜。
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