[发明专利]一种三维存储器的纠错方法及装置

权利要求书

1.一种三维存储器的纠错方法，其特征在于，包括：

利用至少一个读电压对位于目标层的存储单元进行读操作，以确定各个所述存储单元的阈值电压所在的电压范围；所述电压范围由所述至少一个读电压界定，所述读电压至少包括第一读电压；

根据所述各个存储单元的阈值电压所在的电压范围，对各个所述存储单元进行分组；

将阈值电压均大于所述第一读电压的分组中的存储单元作为目标存储单元，将存在阈值电压小于所述第一读电压的分组中的存储单元作为编程抑制单元；

在所述目标存储单元的相邻层的编程单元施加编程电压，以利用字线串扰效应向所述目标存储单元注入电子；所述编程电压使所述编程单元的阈值电压高于所述存储器的存储单元的最高阈值电压，所述编程单元和所述目标存储单元串联连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标层为所述相邻层的上层和/或下层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标层位于所述存储器的下层时，所述目标层为所述相邻层的上层，所述存储器的下层包括所述存储器中从底层到第一预设层的多层；和/或，所述目标层位于所述存储器的上层时，所述目标层为所述相邻层的上层和下层，所述存储器的上层包括所述存储器从顶层到第二预设层的多层；所述第一预设层低于所述第二预设层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述目标层为所述相邻层的上层或下层时，所述根据所述各个存储单元的阈值电压所在的电压范围，对各个所述存储单元进行分组，包括：将位于同一电压范围的所述存储单元作为同一组，对各个所述存储单元进行分组；

和/或，

在所述目标层为所述相邻层的上层和下层时，所述根据所述各个存储单元的阈值电压所在的电压范围，对各个所述存储单元进行分组，包括：将与所述相邻层的同一存储单元连接的两个目标层的存储单元中，阈值电压低的存储单元作为基准单元，将位于同一电压范围的所述基准单元作为同一组，对各个所述基准单元进行分组，且令与所述相邻层的同一存储单元连接的两个目标层的存储单元属于同一组。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标存储单元属于多个分组，若第一存储单元和第二存储单元为属于同一分组的任意两个目标存储单元，则所述在所述目标存储单元的相邻层的编程单元施加编程电压，包括：在与所述第一存储单元和所述第二存储单元串联连接的编程单元上被施加相同的编程电压；

若第一存储单元和第三存储单元为属于不同分组的任意两个目标存储单元，且所述第一存储单元的阈值电压高于所述第二存储单元的阈值电压，则所述在所述目标存储单元的相邻层的编程单元施加编程电压，包括：在与所述第一存储单元串联连接的编程单元上被施加的第一编程电压，大于与所述第三存储单元串联连接的编程单元上被施加的第三编程电压。

6.一种三维存储器的纠错装置，其特征在于，包括：

读取单元，用于利用至少一个读电压对位于目标层的存储单元进行读操作，以确定各个所述存储单元的阈值电压所在的电压范围；所述电压范围由所述至少一个读电压界定，所述读电压至少包括第一读电压；

分组单元，用于将位于同一电压范围的所述存储单元作为同一组，对各个所述存储单元进行分组；

目标存储单元确定子单元，用于将阈值电压均大于所述第一读电压的分组中的存储单元作为目标存储单元，将存在阈值电压小于所述第一读电压的分组中的存储单元作为编程抑制单元；

电子注入单元，用于在所述目标存储单元的相邻层的编程单元施加编程电压，以利用字线串扰效应向所述目标存储单元注入电子；所述编程电压使所述编程单元的阈值电压高于所述存储器的存储单元的最高阈值电压，所述编程单元和所述目标存储单元串联连接。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述目标层为所述相邻层的上层和/或下层。