[发明专利]原料供给装置和成膜装置

说明书

本发明提供能够使成膜开始时的原料气体的流量在短时间内变得稳定的技术。本发明的一方式的原料供给装置包括：向处理容器内供给原料气体的原料供给通路；设置于所述原料供给通路的阀；检测所述原料供给通路内的压力的压力传感器；与所述原料供给通路连接，对所述原料供给通路内的所述原料气体进行排气的原料排气通路；设置于所述原料排气通路，通过调节开度来控制所述原料供给通路内的压力的开度调节机构；和基于所述压力传感器的检测值来调节所述开度调节机构的所述开度的控制部。

技术领域

本发明涉及原料供给装置和成膜装置。

背景技术

已知有当向处理容器内间歇地供给原料气体来形成膜时，在成膜之前不将原料气体供给到处理容器内而间歇地排气的技术(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-52346号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供能够使成膜开始时的原料气体的流量在短时间内变得稳定的技术。

用于解决问题的技术手段

本发明的一方式的原料供给装置包括：向处理容器内供给原料气体的原料供给通路；设置于所述原料供给通路的阀；检测所述原料供给通路内的压力的压力传感器；与所述原料供给通路连接，对所述原料供给通路内的所述原料气体进行排气的原料排气通路；设置于所述原料排气通路，通过调节开度来控制所述原料供给通路内的压力的开度调节机构；和基于所述压力传感器的检测值来调节所述开度调节机构的所述开度的控制部。

发明效果

依照本发明，能够使成膜开始时的原料气体的流量在短时间内变得稳定。

附图说明

图1是表示具有实施方式的原料供给装置的成膜装置的一例的概略图。

图2是表示实施方式的成膜方法的一例的图。

图3是表示初始流量稳定化工序和成膜工序中的罐压的变化的一例的图。

图4是表示成膜工序中的气体供给流程的一例的图。

附图标记说明

1 处理容器

61 气体供给管线

73 阀

80 贮存罐

80a 压力传感器

104 原料排气通路

105 开度调节机构

120 阀开度控制部

Pt 目标值

W 晶片

具体实施方式

下面，参照附带的附图，对本发明的非限定性的例示的实施方式进行说明。在附带的所有附图中，对相同或者相应部件或者零件标注相同或者相应的附图标记，并省略重复的说明。

〔成膜装置〕

参照图1，对具有实施方式的原料供给装置的成膜装置进行说明。图1是表示具有实施方式的原料供给装置的成膜装置的一例的概略图。实施方式的成膜装置构成为能够实施基于原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法的成膜和基于化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法的成膜的装置。