[发明专利]一种稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体、键合晶体、及晶体的制备方法和用途

权利要求书

1.一种稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体，其特征在于，所述稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体的分子式为A_xR_1-xGa₃(BO₃)₄；其中，

A选自下述稀土元素中的一种、两种或更多种：Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb；

R选自Y、Gd和Lu中的一种、两种或三种元素；

0.005≤x≤0.5。

2.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，所述稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体属于三方晶系，空间群为R32。

优选地，所述稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体的尺寸为厘米级。

优选地，A和R在所述A_xR_1-xGa₃(BO₃)₄中呈离子状态。

优选地，A选自下述稀土元素中的一种或两种：Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb；更优选地，A选自Nd、Tb、Yb和Er元素中的一种或两种。

优选地，所述稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体中的A选自Nd，即Nd_xR_1-xGa₃(BO₃)₄，其中R具有如上文所述的选择，0.01≤x≤0.5；优选0.02≤x≤0.1。

优选地，所述稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体中的A选自Tb，即Tb_xR_1-xGa₃(BO₃)₄，其中R具有如上文所述的选择，0.01≤x≤0.5；优选0.05≤x≤0.3。

优选地，所述稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体中的A选自Yb，即Yb_xR_1-xGa₃(BO₃)₄，其中R具有如上文所述的选择，0.01≤x≤0.5；优选0.05≤x≤0.2。

优选地，所述稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体中的A选自Er和Yb，即Er_x1Yb_x2R_1-x1-x2Ga₃(BO₃)₄，其中R具有如上文所述的选择，0.005≤x1≤0.03，0.04≤x2≤0.4。

优选地，所述稀土离子掺杂的四硼酸镓盐晶体为Nd_0.04Y_0.96Ga₃(BO₃)₄晶体、Yb_0.1Gd_0.9Ga₃(BO₃)₄晶体或Er_0.015Yb_0.15Lu_0.835Ga₃(BO₃)₄晶体。