[发明专利]一种电动汽车用抗冲击型MOS管有效
申请号: | 202110362364.4 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN112885788B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 刘梦珠 | 申请(专利权)人: | 深圳市嘉兴南电科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/10 | 分类号: | H01L23/10;H01L23/16;H01L23/48;H01L29/78 |
代理公司: | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人: | 苗广冬 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区华强北街道华航社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电动汽车 冲击 mos | ||
本发明涉及MOS管技术领域,且公开了一种电动汽车用抗冲击型MOS管,包括MOS管体,所述MOS管体顶部中间开设有通孔,所述MOS管体底部固定连接有第二引脚,所述第二引脚底部固定连接有抗冲击机构,所述抗冲击机构底部固定连接有安装机构,所述抗冲击机构底部对应第二引脚固定连接有第一引脚。该电动汽车用抗冲击型MOS管,通过设置的安装机构,在使用时固定沉孔配合,将沉头螺钉穿过固定沉孔固定在电路板上,能够通过安装片将MOS管良好的固定在电路板上,从而能够有效的达到良好的抗冲击松动效果,且在紧固过程中,缓冲环能够在受到冲击时,将冲击力进行初步抵消防止固定沉孔内的沉头螺钉松动。
技术领域
本发明涉及MOS管技术领域,具体为一种电动汽车用抗冲击型MOS管。
背景技术
MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。
MOS管是汽车电子元器件不可缺少的一部分,汽车在正常行驶过程中,因为路况的不同或导致汽车会有一点的颠簸,从而会导致汽车内电子元器件的颠簸,因此会导致汽车内的MOS管元器件在颠簸过程中受到冲击。
现有的MOS管只能通过焊接牢固是的MOS管固定在电路板上,从而在受到颠簸冲击力时,保证MOS管主体不会松动,但长久的使用还是会产生松动,因此需要重新进行设计。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电动汽车用抗冲击型MOS管,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种电动汽车用抗冲击型MOS管,包括MOS管体,所述MOS管体顶部中间开设有通孔,所述MOS管体底部固定连接有第二引脚,所述第二引脚底部固定连接有抗冲击机构,所述抗冲击机构底部固定连接有安装机构,所述抗冲击机构底部对应第二引脚固定连接有第一引脚。
所述安装机构设置有四个,四个所述安装机构分布在抗冲击机构底部四角。
优选的,所述安装机构包括安装片,所述安装片固定连接于抗冲击机构底部,所述安装片远离抗冲击机构一侧中间开设有固定沉孔,所述安装片在固定沉孔内中间固定连接有缓冲环。
优选的,所述抗冲击机构包括外壳,所述外壳固定连接于第二引脚底部,所述外壳内顶部对应第二引脚固定连接有第二引块,所述第二引块底部固定连接有引线,所述引线底端固定连接有第一引块,所述第一引块底部固定连接有内壳,所述内壳顶部套接在外壳内,所述内壳内底部靠近第一引块固定连接有固定架,所述固定架内靠近底部固定连接有簧片,所述簧片中间固定连接有阻尼杆,所述阻尼杆顶端固定连接有限位杆,所述限位杆滑动连接在限位片中间,所述限位片底部固定连接有固定架,所述外壳内在限位片底部固定连接有底部固定块,所述外壳内顶部对应底部固定块固定连接有顶部固定块,所述顶部固定块底部中间固定连接有限位杆,所述限位杆在顶部固定块和底部限位片之间套接有弹簧。
优选的,所述第二引脚和第二引块一体成型,所述第一引脚和第一引块一体成型,能够通过引线使得MOS管体和第一引脚电性连接,方便通过第一引脚和电路板电性连接。
优选的,所述限位片中心开设有滑动孔,所述限位片通过滑动孔滑动连接有限位杆,所述滑动孔贯穿至底部固定块中心,能够在抗冲击过程中,使得限位杆能够活到,即可达到更加良好的抗冲击效果。
优选的,所述弹簧设置有两个,两个所述弹簧对称分布在外壳内和内壳内左侧和右侧,能够达到更加良好的抗冲击能力。
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