[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 202110361551.0 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN113097234A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 韩长娟;王龙;祝晓钊;冯敏强;廖良生 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括栅极驱动总线和源极驱动总线,多条扫描线,多条信号线,多个设置在对应所述扫描线和对应所述信号线的交叉处的晶体管,多条所述扫描线分别连接至所述栅极驱动总线,多条所述信号线分别连接至所述源极驱动总线,其特征在于,沿所述信号线远离所述源极驱动总线的延伸方向,连接在所述信号线上的所述晶体管的源极层和/或漏极层的截面积依次增大。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿远离所述源极驱动总线的方向,所述信号线的宽度逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述源极驱动总线包括相对设置的第一源极驱动总线和第二源极驱动总线;
沿所述第一源极驱动总线和所述第二源极驱动总线指向中间区域的方向,连接在所述信号线上的所述晶体管的源极层和/或漏极层的截面积依次增大。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,沿所述第一源极驱动总线和所述第二源极驱动总线指向中间区域的方向,所述信号线的宽度逐渐增大。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括多个存储电容,沿所述信号线远离所述源极驱动总线的延伸方向,不同的所述存储电容的电容值逐渐增大。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述晶体管包括一第一栅极、与所述第一栅极对应设置的一第二栅极及一设置在所述第一栅极与所述第二栅极之间的绝缘层,所述第一栅极、所述第二栅极及所述绝缘层形成所述存储电容。
7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板一侧形成阵列层;
其中,所述阵列层包括栅极驱动总线和源极驱动总线,多条扫描线,多条信号线,多个设置在对应所述扫描线和对应所述信号线的交叉处的晶体管,多条所述扫描线分别连接至所述栅极驱动总线,多条所述信号线分别连接至所述源极驱动总线,沿所述信号线远离所述源极驱动总线的延伸方向,连接在所述信号线上的所述晶体管的源极层和/或漏极层的截面积依次增大。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述衬底基板一侧形成阵列层,包括:
在所述衬底基板一侧形成有源层;
在所述有源层远离所述衬底基板一侧形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层远离所述有源层一侧形成栅极层和所述扫描线;
在所述栅极层远离所述第一绝缘层一侧形成第二绝缘层;
利用光刻工艺露出所述晶体管的源极区域和漏极区域,其中沿信号线远离所述源极驱动总线的延伸方向,连接在所述信号线上的所述晶体管的源极区域和/或漏极区域的面积依次增大;
去除所述源极区域和所述漏极区域的第一绝缘层和第二绝缘层,并灌注金属材料形成源极和漏极。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1~6任一所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的