[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110356602.0 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN113097233A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 李栋;张慧娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,用于提高显示基板的耐挤压能力。所述显示基板包括:衬底以及设置在所述衬底一侧的至少一个晶体管。所述晶体管包括:依次层叠设置的有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、层间绝缘层、源漏电极层及平坦层。源漏电极层包括源极和漏极。其中,所述层间绝缘层包括第一部分和第二部分。所述层间绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影和所述第一栅极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。相对于所述衬底,所述层间绝缘层的第一部分远离所述衬底一侧的表面,低于所述层间绝缘层的第二部分远离所述衬底一侧的表面。所述显示基板及其制备方法、显示装置用于进行图像显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称为OLED),因具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应速度快以及可柔性显示等优点,已在显示领域得到广泛应用。
随着显示技术的发展,LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅)背板技术由于其高的迁移率带来的高的开口率、可以实现GOA(Gate Drive on Array,栅极集成驱动)等原因,使得基于该技术的显示面板相比于基于a-Si(非晶硅)技术的显示面板具有更加优良的显示效果,正在受到越来越大的重视。
目前,采用LTPS背板技术制作的显示装置,由于LTPS背板自身结构的缘故,在显示装置受到纵向挤压时容易发生由晶体管不稳定引发的亮暗点等显示不良问题。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,用于提高显示基板的耐挤压能力。
为达到上述目的,本发明实施例提供了如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供了一种显示基板,包括衬底以及设置在所述衬底一侧的至少一个晶体管。所述晶体管包括:依次层叠设置的有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、层间绝缘层、源漏电极层及平坦层。所述源漏电极层包括源极和漏极。其中,所述层间绝缘层包括第一部分和第二部分。所述层间绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影和所述第一栅极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。相对于所述衬底,所述层间绝缘层的第一部分远离所述衬底一侧的表面,低于所述层间绝缘层的第二部分远离所述衬底一侧的表面。
本公开的一些实施例所提供的显示基板,通过对层间绝缘层中与第一栅极相对应的第一部分以及层间绝缘层的第二部分进行设置,使得层间绝缘层的第一部分远离衬底一侧的表面,相对于衬底低于层间绝缘层的第二部分远离衬底一侧的表面,可以使得层间绝缘层的第一部分相对于层间绝缘层的第二部分呈凹陷状态,进而可以使得平坦层与层间绝缘层的第一部分相对应的部分的厚度大于平坦层与层间绝缘层的第二部分相对应的部分的厚度。
这样在上述显示基板受到纵向挤压应力时,由于平坦层厚度越小的位置,传递至层间绝缘层的挤压应力越大,该纵向挤压应力经过平坦层向层间绝缘层传递后,会使得层间绝缘层的第一部分的受到的压力小于层间绝缘层的第二部分的受到的压力,进而可以降低第一栅极及有源层的沟道部分受到的压力,从而可以缓解晶体管整体受到的压力,保证晶体管的稳定性,提高显示基板的耐挤压能力,进而可以避免显示基板出现亮暗点等显示不良问题,提升产品良率。
在一些实施例中,所述层间绝缘层的第一部分远离所述衬底一侧的表面,与所述层间绝缘层的第二部分远离所述衬底一侧的表面之间的间距,大于0nm,且小于或等于200nm。
在一些实施例中,所述第一栅极在所述衬底上的正投影位于所述层间绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影范围内。
在一些实施例中,所述源极和所述漏极在所述衬底上的正投影,与所述层间绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影不重叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110356602.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的