[发明专利]半导体装置

说明书

提供能抑制外部配线和半导体层之间的电阻，且抑制在外部配线连接时由于异物而在半导体层出现损伤的频率的半导体装置。根据一个方式，半导体装置具有：缓冲层，其设置于第2半导体层的表面之上，在俯视观察时具有至少1个开口；以及电极，其设置于第2半导体层及缓冲层的上侧，通过至少1个开口与第2半导体层接触，缓冲层的维氏硬度比电极的维氏硬度高，在将缓冲层的厚度设为s，将电极的厚度设为t，W_th＝2×(s×t‑s²)⁰_.⁵的情况下，至少1个开口各自的宽度w满足wW_th。根据另一个方式，半导体装置具有：导电性的缓冲层，其至少选择性地设置于第2半导体层的表面之上；以及电极，其设置于缓冲层的表面之上，缓冲层的维氏硬度比电极的维氏硬度高。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

就半导体装置而言，在将用于与外部电路进行连接的外部配线与电极接合时，有时在半导体层出现损伤。

如果在半导体层出现损伤，则例如在二极管中存在如下问题。

作为二极管所谋求的性能，举出减小恢复时的损耗。作为以此为目的的方法，存在将阳极层的杂质浓度降低，将半导体层薄化，使半导体层中的载流子的寿命降低等各种方法。在这些方法中，阳极层的低杂质浓度化为如下方法，即，通过使接通状态下的半导体层中的载流子密度降低，从而将通断时的恢复电流降低，使损耗减小。

就二极管而言，在耐压保持状态、如恢复动作时那样施加了反向偏置的状态下，耗尽层以PN结为起点在半导体层内扩展，由此对耐压进行保持。耗尽层主要向漂移层侧扩展，但在为了降低恢复损耗将阳极层的杂质浓度降低的情况下，耗尽层也容易向阳极层侧扩展，因此如果阳极层薄则耐压降低。

由于在阳极层出现创伤、凹陷乃至龟裂这样的损伤，有效的阳极层的厚度有时局部变薄。通常，对于阳极电极以耗尽层不会击穿的程度设计阳极层的浓度及厚度，但如果存在与设计相比阳极层极端地薄的部位，则会引起耗尽层到达阳极电极，耐压降低或无法保持耐压而导致器件破损这样的问题。

在专利文献1中，作为防止在将外部配线与电极接合时在半导体层出现损伤的构造，公开了在将外部配线与电极接合的区域的正下方设置绝缘层，在俯视观察时将外部配线和电极接合的区域与电极和半导体层接触的区域分离的构造。

专利文献1：日本特开2014-029975号公报

在专利文献1所公开的俯视观察时使得将外部配线和电极接合的区域与电极和半导体层接触的区域分离的构造中，存在产生与从外部配线至半导体层为止的距离对应的配线电阻，接通状态下的损耗变大这样的问题。

作为在半导体层出现损伤的原因，存在阳极电极之上或阳极电极内部的异物。如果在对外部配线进行接合的部位的正下方存在异物，则在接合外部配线时，异物被压入至阳极电极内。如果压入的异物到达至半导体层，则在半导体层出现损伤。

谋求防止由这样的异物对半导体层造成的损伤，并且与专利文献1相比，对外部配线和半导体层之间的电阻进行抑制。

发明内容

本发明就是为了解决这样的问题而提出的，其目的在于提供能够对外部配线和半导体层之间的电阻进行抑制，并且对在外部配线连接时由于异物而在半导体层出现损伤的频率进行抑制的半导体装置。