[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110320182.0 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113471277A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 西井昭人;原田辰雄;瓜生胜美;野村典嗣;田中翔 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具有：
第1半导体层；
第2半导体层，其设置于所述第1半导体层的表面之上，该第2半导体层呈与所述第1半导体层不同的导电型；
缓冲层，其设置于所述第2半导体层的表面之上，在俯视观察时具有至少1个开口；以及
电极，其设置于所述第2半导体层及所述缓冲层的上侧，通过所述至少1个开口与所述第2半导体层接触，
所述缓冲层的维氏硬度比所述电极的维氏硬度高，
在将所述缓冲层的厚度设为s，将所述电极的厚度设为t，Wth＝2×(s×t-s2)0.5的情况下，所述至少1个开口各自的宽度w满足wWth。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
俯视观察时由所述至少1个开口及所述缓冲层构成的区域在俯视观察时仅占据所述第1半导体层的表面的局部区域。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
俯视观察时由所述至少1个开口及所述缓冲层构成的区域在俯视观察时占据所述第1半导体层的整个表面。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述至少1个开口各自在俯视观察时为包含于各边的长度为Wth的矩形中的形状。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
所述缓冲层在俯视观察时具有网格状的形状。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述至少1个开口各自为宽度小于Wth的线状。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
所述缓冲层在俯视观察时具有条带状的形状。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
所述缓冲层在俯视观察时具有同心环状的形状。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，
所述缓冲层包含硅氧化物或硅氮化物。
10.一种半导体装置，其具有：
第1半导体层；
第2半导体层，其设置于所述第1半导体层的表面之上，该第2半导体层呈与所述第1半导体层不同的导电型；
导电性的缓冲层，其至少选择性地设置于所述第2半导体层的表面之上；以及
电极，其设置于所述缓冲层的表面之上，
所述缓冲层的维氏硬度比所述电极的维氏硬度高。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
所述缓冲层包含钛、钨、钼、铪的任意者。
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