[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 202110305987.8 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN113113427A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 程希;俞刚 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
有源层;
位于所述有源层上的源漏极层,所述源漏极层包括与所述有源层两端电性连接的源极和漏极;
其中,所述源极与所述有源层之间、所述漏极与所述有源层之间还分别设有一保护层,所述保护层用于降低所述有源层与所述源漏极层之间的接触电阻。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层包括非晶硅层与欧姆接触层,所述欧姆接触层包括分别位于所述有源层两端的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层,所述保护层包括所述覆盖所述第一欧姆接触层的第一保护层,以及覆盖所述第二欧姆接触层的第二保护层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述欧姆接触层与所述源漏极层之间的功函数差大于所述保护层与所欧姆接触层之间的功函数差。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一保护层与所述第二保护层包括钼。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述源漏极层包括钼和铜的叠层结构,且与所述第一保护层、所述第二保护层接触的为钼层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述保护层的厚度大于或等于50埃,且小于或等于1000埃。
7.一种如权利要求1-6任一项所述阵列基板的制备方法,其特征在于,步骤包括:
制备一有源层;
在所述有源层上制备一保护层;
对所述有源层与所述保护层进行图案化处理;
在所述保护层上制备一源漏极层,同时刻蚀所述源漏极层、所述保护层及所述有源层,其中,所述源漏极层形成源极与漏极。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述对所述有源层与所述保护层进行图案化处理的步骤包括:
对没有光阻覆盖的所述保护层和所述有源层进行刻蚀;
用剥离液剥离所述保护层上剩下的光阻。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述对没有光阻覆盖的所述保护层和所述有源层进行刻蚀的方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的