[发明专利]量子点组合物及其制备方法

说明书

本申请实施例公开了一种量子点组合物及其制备方法，其中，所述方法包括：提供一电极基片和具有量子点的溶液；将所述电极基片插入到具有量子点的溶液中；通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点，将所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片上，以在所述电极基片上成型第一量子点结构；若所述量子点结构未满足预设条件，则释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构，以溶于所述溶液中。本申请实施例通过释放沉积于电极基片上未满足预设条件的量子点结构，使其溶于溶液中，可以解决因为量子点结构存在瑕疵而造成产品浪费的问题。

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点组合物及其制备方法。

背景技术

量子点(Quantum Dots,QD)是一种半导体纳米材料，其半径小于或接近于激子波尔半径。量子点具有大小可调的带隙、较长的载流子寿命和可溶液加工的特性，量子点是一种很有前景的功能材料。

在规模化生产量子点组合物时，由于各种原因，电泳沉积后的量子点结构会因为存在瑕疵而造成产品的浪费。

发明内容

本申请实施例提供一种量子点组合物及其制备方法，可以解决因为量子点结构存在瑕疵而造成产品浪费的问题。

本申请实施例提供一种量子点组合物的制备方法，所述方法包括：

提供一电极基片和具有量子点的溶液；

将所述电极基片插入到所述具有量子点的溶液中；

通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点，将所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片上，以在所述电极基片上成型第一量子点结构；

若所述第一量子点结构未满足预设条件，则释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构，以溶于所述溶液中。

可选的，在所述释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构之后，所述方法包括：

再次在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点沉积，以在所述电极基片上成型第二量子点结构。

可选的，所述释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构，以溶于所述溶液中的步骤包括：采用第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片，以形成第一量子点结构；

将所述第一电压进行断电，使得所述电极基片与所述第一电压形成的通路断开，从而使得所述电极基片上沉积的所述第一量子点结构溶解于所述溶液中。

可选的，所述通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点包括：

再次采用所述第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片，以形成第二量子点结构。

可选的，所述通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点包括：

采用第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述第一电极基片，以形成第一量子点结构；

若所述第一量子点结构未满足预设条件，则断开所述第一电压，使得所述第一量子点结构溶于所述溶液中；

采用第二电压通电，所述第二电压的电场强度与所述第一电压的电场强度不同，使得所述电极基片和所述第二电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述第一电极基片，以形成第二量子点结构。

可选的，所述电极基片包括第一电极基片和第二电极基片，在所述释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构之后，所述方法还包括：

通过电泳沉积的方式在所述第二电极基片的预设位置沉积所述溶液中的量子点，所述第二电极基片与所述第一电极基片对侧设置。