[发明专利]一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备

权利要求书

1.一种碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，包括：

将双层掩蔽层放置于需退火的碳化硅衬底一侧，以遮蔽所述碳化硅衬底表面，且所述双层掩蔽层与所述碳化硅衬底之间的距离D满足：0μm＜D≤300μm；

对所述碳化硅衬底进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述双层掩蔽层采用以下工艺制作：

在1600℃-1700℃的氩环境中，直接在第一掩蔽层上用脉冲激光沉积法沉积第二掩蔽层。

3.根据权利要求2所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述第一掩蔽层的厚度为2μm-5μm。

4.根据权利要求2所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述第二掩蔽层的厚度为0.5μm-1μm。

5.根据权利要求1所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述双层掩蔽层与所述碳化硅衬底之间的距离为250μm-300μm。

6.根据权利要求1所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述双层掩蔽层的面积大于等于所述碳化硅衬底的面积。

7.根据权利要求1所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述双层掩蔽层和所述碳化硅衬底均为圆形，且所述双层掩蔽层的直径大于所述碳化硅衬底直径的20％。

8.根据权利要求7所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述将双层掩蔽层放置于需退火的碳化硅衬底一侧，以遮蔽所述碳化硅衬底表面，包括：

将需退火的碳化硅衬底吸附固定于中心真空泵；

将面积大于所述碳化硅衬底的所述双层掩蔽层吸附固定于外圈真空泵，所述外圈真空泵围绕所述中心真空泵设置。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述对所述碳化硅衬底进行退火处理之后还包括：

检测所述碳化硅衬底表面的粗糙度。

10.一种碳化硅衬底退火设备，其特征在于，包括：中心真空泵、外圈真空泵，所述外圈真空泵围绕所述中心真空泵设置；其中：

所述中心真空泵用于支撑需退火的碳化硅衬底；

所述外圈真空泵用于支撑用于遮蔽所述碳化硅衬底表面的双层掩蔽层；

所述中心真空泵和所述外圈真空泵配合以使所述双层掩蔽层与所述碳化硅衬底的距离D满足：0μm＜D≤300μm。