[发明专利]发光面板及其制备方法、发光装置在审
申请号: | 202110295622.1 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113066835A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 刘军;汪军;刘宁;苏同上;王海东;周斌;桂学海;刘融 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 面板 及其 制备 方法 装置 | ||
本公开涉及照明与显示技术领域,公开了一种发光面板及其制备方法、发光装置;该发光面板具有发光区和与发光区相邻的隔离区,该发光面板包括衬底基板和阻隔结构;阻隔结构设置于衬底基板的一侧且位于隔离区;包括依次层叠设置的第一隔离图案、第二隔离图案、第三隔离图案和第四隔离图案,第一隔离图案比第四隔离图案更靠近衬底基板;第一隔离图案在衬底基板上的正投影位于第二隔离图案在衬底基板上的正投影内,第三隔离图案在衬底基板上的正投影位于第四隔离图案在衬底基板上的正投影内,第三隔离图案在衬底基板上的正投影位于第二隔离图案在衬底基板上的正投影内。该发光面板的阻隔结构形成双层“工”字形结构阻隔效果好。
技术领域
本公开涉及照明与显示技术领域,具体而言,涉及一种发光面板及发光面板的制备方法、包括该发光面板的发光装置。
背景技术
随着对异形发光的要求越来越多,发光区的形状不同于规则的矩形发光区,需要设计隔离部对发光功能层以及阴极进行水汽阻挡隔离以实现异形区域发光;但是,目前隔离部的隔离效果不理想。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的隔离效果不好的不足,提供一种隔离效果较好的发光面板及发光面板的制备方法、包括该发光面板的发光装置。
根据本公开的一个方面,提供了一种发光面板,具有发光区和与所述发光区相邻的隔离区,所述发光面板包括:
衬底基板;
阻隔结构,设置于所述衬底基板的一侧,且位于所述隔离区;
所述阻隔结构包括:依次层叠设置的第一隔离图案、第二隔离图案、第三隔离图案和第四隔离图案,所述第一隔离图案比所述第四隔离图案更靠近所述衬底基板;所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内,所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内,所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阻隔结构还包括:
第五隔离图案,设于所述第四隔离图案的远离所述衬底基板的一侧,所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内,或所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阻隔结构还包括:
第六隔离图案,设于所述衬底基板与所述第一隔离图案之间,所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第六隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中,在所述发光区,所述发光面板包括:
多个阵列排布的像素单元,各个所述像素单元包括至少三个子像素,各个所述子像素包括薄膜晶体管和发光单元,所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极和平坦化层,所述发光单元包括第一电极、像素界定层、发光层和第二电极。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一隔离图案、所述第二隔离图案和所述第六隔离图案与所述源极和所述漏极同层同材料设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第三隔离图案与所述平坦化层同层同材料设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第四隔离图案与所述第一电极同层同材料设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第五隔离图案与所述像素界定层同层同材料设置。
根据本公开的另一个方面,提供了一种发光面板的制备方法,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的