[发明专利]发光面板及其制备方法、发光装置在审
申请号: | 202110295622.1 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113066835A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 刘军;汪军;刘宁;苏同上;王海东;周斌;桂学海;刘融 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 面板 及其 制备 方法 装置 | ||
1.一种发光面板,具有发光区和与所述发光区相邻的隔离区,其特征在于,所述发光面板包括:
衬底基板;
阻隔结构,设置于所述衬底基板的一侧,且位于所述隔离区;
所述阻隔结构包括:依次层叠设置的第一隔离图案、第二隔离图案、第三隔离图案和第四隔离图案,所述第一隔离图案比所述第四隔离图案更靠近所述衬底基板;所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内,所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内,所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,所述阻隔结构还包括:
第五隔离图案,设于所述第四隔离图案的远离所述衬底基板的一侧,所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内,或所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的发光面板,其特征在于,所述阻隔结构还包括:
第六隔离图案,设于所述衬底基板与所述第一隔离图案之间,所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第六隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
4.根据权利要求2或3所述的发光面板,其特征在于,在所述发光区,所述发光面板包括:
多个阵列排布的像素单元,各个所述像素单元包括至少三个子像素,各个所述子像素包括薄膜晶体管和发光单元,所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极和平坦化层,所述发光单元包括第一电极、像素界定层、发光层和第二电极。
5.根据权利要求4所述的发光面板,其特征在于,所述第一隔离图案、所述第二隔离图案和所述第六隔离图案与所述源极和所述漏极同层同材料设置。
6.根据权利要求4所述的发光面板,其特征在于,所述第三隔离图案与所述平坦化层同层同材料设置。
7.根据权利要求4所述的发光面板,其特征在于,所述第四隔离图案与所述第一电极同层同材料设置。
8.根据权利要求4所述的发光面板,其特征在于,所述第五隔离图案与所述像素界定层同层同材料设置。
9.一种发光面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板,所述衬底基板具有发光区和与所述发光区相邻的隔离区;
在所述衬底基板的一侧且在所述隔离区依次形成第一隔离图案和第二隔离图案,所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内;
在所述第二隔离图案的远离所述衬底基板的一侧依次形成第三隔离图案和第四隔离图案,所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内,所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
10.根据权利要求9所述的发光面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
在所述衬底基板的一侧且在所述发光区形成有源层、栅绝缘层以及栅极,所述栅绝缘层位于所述有源层与所述栅极之间;
在所述有源层或所述栅极的远离所述衬底基板的一侧形成层间介电层,并在所述层间介电层上形成第一过孔,所述第一过孔连通至所述有源层;
在所述层间介电层的远离所述衬底基板的一侧形成源极和漏极,所述源极和所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接;
在所述源极和所述漏极的远离所述衬底基板的一侧形成平坦化层,且在所述平坦化层上形成第二过孔,所述第二过孔连通至所述源极或所述漏极;
在所述平坦化层的远离所述衬底基板的一侧形成第一电极,所述第一电极通过所述第二过孔与所述源极或所述漏极连接;
在所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的