[发明专利]一种反极性LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种反极性LED芯片，该芯片自下而上依次包括P面电极、硅衬底、P-高反射膜层、P-GaP层、P-AlInP层、MQW有源层、N-AlInP层、N-AlGaInP层、N-GaAs层和N面电极，其特征在于；

所述硅衬底与所述P-高反射膜层之间还包括有键合层。

2.根据权利要求1所述的一种反极性LED芯片，其特征在于：

所述键合层由第一键合区和第二键合区组成，所述第一键合区由圆形SiO₂组成，所述第一键合区的直径大于所述N面电极，所述第二键合区由ITO组成，所述键合层的总厚度为0.5-2μm。

3.根据权利要求1所述的一种反极性LED芯片，其特征在于：

所述P面电极材质为Cr、Ti、Pt、Au、Al金属中的一种或几种，所述N面电极材质为Cr、Ti、Pt、Au、Al金属中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的一种反极性LED芯片，其特征在于：

所述硅衬底厚度为110-190μm。

5.根据权利要求1所述的一种反极性LED芯片，其特征在于：

所述P-高反射膜层由AlAs/Al_0.3GaAs周期性组成，每个周期层的厚度为85nm，周期数为15-50对。

6.根据权利要求1所述的一种反极性LED芯片，其特征在于：

所述N-AlGaInP层经过了粗化处理，厚度为3-3.5μm。

7.根据权利要求1所述的一种反极性LED芯片，其特征在于：

所述N-GaAs层为环形，厚度为70-100nm，环形宽度为5-15μm。

8.一种如权利要求1-7任一项权利要求所述的反极性LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一GaAs衬底作为外延结构生长衬底；

S2：在该衬底上依次生长N-GaAs层、N-AlGaInP层、N-AlInP层、MQW有源层、P-AlInP层、P-GaP层、P-高反射膜层；

S3：在外延层P-高反射膜层表面蒸镀一层ITO层,通过光刻制作掩膜图形保护第二键合区，用腐蚀液腐蚀掉中间没有掩膜图形保护的ITO层,在第二键合区留下一个圆洞；

S4：在硅片表面蒸镀一层SiO₂，利用光刻制作掩膜图形保护第一键合区，将没有掩膜图形保护区域的SiO₂腐蚀掉，得到第一键合区；

S5：将硅片与带外延层的GaAs衬底对齐，将第一键合区和第二键合区紧密接触，使得第一键合区和第二键合区完成双键合区共键合；

S6：将晶片使用腐蚀溶液将原GaAs衬底去除；

S7：使用光刻胶制作出环形GaAs掩膜图形，利用腐蚀溶液去除掩膜图形之外的GaAs层，制得环形GaAs层；利用光刻胶制作N面电极的掩膜图形，蒸镀出初步N面电极，然后再剥离N面电极多余的金属，得到最终的N面电极；

S8：使用光刻胶制作切割道掩膜图形，通过ICP蚀刻的方式得到切割道；再次使用光刻胶制作掩膜图形，将N面电极和切割道保护起来，使用粗化液对N-AlGaInP层进行粗化处理；

S9：将硅衬底厚度研磨至需要的厚度，然后在该面蒸镀出P面电极；

S10：沿着切割道对晶片N面进行切割，对晶片P面进行切割，将N面和P面都进行切割后的晶片转移至裂片机，将晶片劈裂成单个芯片。