[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 202110295111.X | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN114649009A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 森郁 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/04 | 分类号: | G11C7/04;G11C7/22;G11C7/10;G11C11/4096;G11C11/4076 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王天尧;汤在彦 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
本发明提供了一种半导体存储装置,可根据使用时的环境,例如电源电压和温度等的变化,适当地控制操作时序。该半导体存储装置,包括检测半导体存储装置的温度的温度感测器、检测半导体存储装置的电源电压的电压检测部,如环形振荡器和计数器,以及根据电源接通后通过温度感测器所检测的温度,以及电源接通后通过电压检测部所检测的电源电压,控制半导体存储装置内的操作时序,以满足特定条件的控制部。
技术领域
本发明与半导体存储装置有关。
背景技术
在半导体存储装置上,例如,动态随机存取存储器(Dynamic Random AccessMemory,DRAM)等,随着信号的传送速度等提高,需要适当地控制操作时序。
例如,在专利文献1记载的技术,电源接通后,从半导体存储装置的有PVT(处理/电源电压/温度)变动相关特性的环形振荡器所输出信号,按照上述输出信号的上升边缘和下降边缘的次数,可以控制内部时脉的操作时序(开始时间和保持时间)。
[先行技术文献]
[专利文献1]美国专利申请公开第2018/0144781号说明书。
发明内容
[发明所解决课题]
顺便一提,环形振荡器有下列的特性。当电源电压越高或温度越高时,所输出信号的上升边缘或下降边缘的次数变得越多;当环形振荡器的电源电压越低或温度越低时,所输出信号的上升边缘或下降边缘的次数变得越少。因此基于从环形振荡器所输出信号的上升边缘或下降边缘的次数,对于半导体存储装置使用时的环境(例如,温度和电源电压等)的各种情境(例如,低温时低电压、低温时高电压、高温时低电压、高温时高电压等),难以控制操作时序以满足性能要求(规格)。
再者,在专利文献1所记载的技术,由于内部时脉的操作时序的只在电源接通后控制一次,因此依照半导体存储装置使用时的环境的时间变化,而适当地控制操作时序会有变得困难的疑虑。
本发明鉴于上述课题,目的是可以得到一种依照使用时的环境,适当地控制操作时序的半导体存储装置。
为了解决上述课题,本发明提供一种半导体存储装置,包括检测上述半导体存储装置的温度的温度感测器、检测上述半导体存储装置的电源电压的电压检测部,以及依照电源接通后由上述温度感测器所检测的温度,和电源接通后由上述电压检测部所检测的电源电压,控制上述半导体存储装置内的操作时序,以满足特定条件的控制部。
根据本发明,由于依照电源接通后通过温度感测器所检测的温度,和电源接通后通过电压检测部所检测的电源电压,来控制半导体存储装置内的操作时序,以满足特定条件,因此对于温度和电源电压的各种情境(例如,低温时低电压、低温时高电压、高温时低电压、高温时高电压等),可以控制操作时序,以满足特定条件(例如,性能要求等)。因此,例如,只基于从环形振荡器所输出的信号的上升边缘或下降边缘的次数,以控制操作时序的情况相比,依照使用时环境的操作时序更能适当地控制,因此,可以实现应用于提高传送速度等的性能提升的半导体存储装置。再者,根据本发明,例如,由于可以在每次电源接通后的任何时序,以控制操作时序,因此,依照半导体存储装置使用时的环境的时间变化,可以适当地控制操作时序。
在上述发明中,当上述半导体存储装置电源接通时所执行的电力开启时序中,可以控制上述半导体存储装置的操作时序。
根据本发明中,从电源接通后到半导体存储装置正常运作开始时的期间,基于该半导体存储装置的温度和电源电压,可以适当地控制操作时序。
在上述发明中,当特定指令输入在上述半导体存储装置时,上述控制部可以控制上述半导体存储装置的操作时序。
根据本发明,例如,由于每次特定指令输入在上述半导体存储装置时,基于当输入该指令时的半导体存储装置的温度和电源电压,以适当地控制操作时序,因此依照半导体存储装置使用时的环境的时间变化,可以适当地控制操作时序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110295111.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。