[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质

说明书

本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质。本发明能够在对基板上形成的氧化膜进行改性的处理中提高氧化膜的特性。本发明提供一种半导体装置的制造方法，具有通过执行以下工序(1)和工序(2)来对氧化膜进行改性的工序：(1)将含有惰性气体的含惰性气体的气体等离子体化而生成含有所述惰性气体的元素的反应种，将该反应种供给至在基板上形成的氧化膜的工序；和(2)在工序(1)之后，将与所述含惰性气体的气体不同的含氧气体等离子体化而生成含氧反应种，将该反应种供给至所述氧化膜的工序。

技术领域

本公开涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质。

背景技术

作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行由等离子体对基板上形成的膜进行改性的处理(参照例如专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-75579号公报

专利文献2：国际公开第2018/179038号小册子

发明内容

发明要解决的课题

本公开的课题在于提供在对基板上形成的氧化膜进行改性的处理中能够提高氧化膜的特性的技术。

解决课题的方法手段

根据本公开的一个实施方式，提供一种半导体装置的制造方法，具有通过执行以下工序(1)和工序(2)来对氧化膜进行改性的工序：(1)将含有惰性气体的含惰性气体的气体等离子体化生成含有上述惰性气体的元素的反应种，将该反应种供给至在基板上形成的氧化膜的工序；和(2)在工序(1)之后，将与上述含惰性气体的气体不同的含氧气体等离子体化而生成含氧反应种，将该反应种供给至上述氧化膜的工序。

发明效果

根据本公开，在对基板上形成的氧化膜进行改性的处理中能够提高氧化膜的特性。

附图说明

图1是本公开的一个实施方式中适合使用的基板处理装置100的概略构成图，是以纵截面图显示处理炉202部分的图。

图2是例示本公开的一个实施方式中的等离子体产生原理的图。

图3是本公开的一个实施方式中适合使用的基板处理装置100的控制器221的概略构成图，是以框图显示控制器221的控制系统的图。

图4是显示本公开的一个实施方式中的基板处理流程的图。

图5中，(A)为用于对保持沉积(As-depo)状态的AlO膜进行说明的图，(B)是用于说明第一等离子体处理对AlO膜的作用的图，(C)是用于说明第二等离子体处理对AlO膜的作用的图。

图6是显示能够适用本公开的一个实施方式的基板的截面的一部分的图。

图7是显示本公开的一个实施方式中的基板处理流程的变形例的图。

图8是显示本公开的一个实施方式中的基板处理流程的变形例的图。

图9中，(A)是显示对本实施例中的2阶段等离子体处理后的AlO膜的电气特性与保持沉积状态的AlO膜的电气特性进行比较的图，(B)是显示比较例中的1阶段等离子体处理后的AlO膜的电气特性与保持沉积状态的AlO膜的电气特性进行比较的图。

符号说明

200：晶圆(基板)，203：处理容器。

具体实施方式

＜本公开的一个实施方式＞

以下，参照图1～图6对本公开的一个实施方式进行说明。