[发明专利]研磨片及利用其的半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110287225.X | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113410163A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 徐章源;郑恩先;尹钟旭 | 申请（专利权）人： | SKC索密思株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/768;B24B37/005;B24B37/10;B24B37/12;B24B49/00 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 王卫彬;金明花 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 利用 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种研磨片，其特征在于，
包括由研磨层、粘结层以及衬垫层构成的层叠体，
上述层叠体的由以下式1定义的初始负荷抵抗率LRL为88％以上，
式1
在上述式1中，
T1L为无负荷状态下的层叠体的厚度，
T2L为从无负荷状态维持60秒钟的30kPa的应力负荷时的层叠体的厚度，
T3L为从上述T2L状态维持60秒钟的50kPa的应力负荷时的层叠体的厚度。
2.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，
上述层叠体的由以下式2定义的压缩弹性率CEL为50％以上，
式2
在上述式2中，
T2L为从无负荷状态维持60秒钟的30kPa的应力负荷时的层叠体的厚度，
T3L为从上述T2L状态维持60秒钟的50kPa的应力负荷时的层叠体的厚度，
T4L为从上述T3L状态消除应力负荷并放置60秒钟后重新维持60秒钟的30kPa的应力负荷时的层叠体的厚度。
3.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，上述衬垫层的硬度L为68Asker C至74Asker C。
4.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，上述层叠体的无负荷状态下的厚度T1L为2.0mm至4.5mm。
5.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，弹性模量L为100kgf/cm2至160kgf/cm2。
6.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，
对于钨的研磨率为/分钟以下，
对于钨的研磨平整度WIWNU为4.3％以下。
7.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，
上述研磨层包括包含氨基甲酸酯预聚物、固化剂以及发泡剂的组合物的固化物，
上述研磨片满足下述i)、ii)以及iii)中的至少一个：
i)上述氨基甲酸酯预聚物包含1种以上的异氰酸酯化合物以及1种以上的多元醇的预聚合反应生成物；
ii)上述固化剂为选自由胺化合物以及醇化合物组成的组中的一种以上；
iii)上述发泡剂为选自由固相发泡剂以及气相发泡剂组成的组中的一种以上。
8.一种研磨片，其特征在于，
包括研磨层以及衬垫层，
上述衬垫层的由以下式5定义的初始负荷抵抗率LRC为45％以上，
式5
在上述式5中，
T1C为无负荷状态下的衬垫层的厚度，
T2C为从无负荷状态维持60秒钟的30kPa的应力负荷时的衬垫层的厚度，
T3C为从上述T2C状态维持60秒钟的50kPa的应力负荷时的衬垫层的厚度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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