[发明专利]一种图形互补复合衬底、制备方法及LED外延片

权利要求书

1.一种图形互补复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：

提供一平片基底；

利用第一掩膜版对所述平片基底进行图形化，在所述平片基底的第一表面形成多个第一图形微结构；

在所述平片基底的第一表面形成一层异质材料层；

利用第二掩膜版对所述异质材料层进行图形化，形成多个第二图形微结构；其中，所述第一图形微结构和所述第二图形微结构分别为凸起微结构或凹陷微结构；所述第一图形微结构和所述第二图形微结构在所述平片基底的第一表面的垂直投影相互不交叠。

2.根据权利要求1所述的图形互补复合衬底的制备方法，其特征在于，利用第一掩膜版对所述平片基底进行图形化，在所述平片基底的第一表面形成多个第一图形微结构，包括：

在所述平片基底的第一表面形成第一光刻胶层；

利用所述第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光并显影，形成第一光刻胶掩膜；

通过所述第一光刻胶掩膜对所述平片基底的第一表面进行蚀刻，形成所述多个第一图形微结构；

利用第二掩膜版对所述异质材料层进行图形化，形成多个第二图形微结构，包括：

在所述异质材料层的第二表面形成第二光刻胶层；

利用所述第二掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光并显影，形成第二光刻胶掩膜；

通过所述第二光刻胶掩膜对所述异质材料层进行蚀刻，形成所述多个第二图形微结构；

其中，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层分别为正性光刻胶或负性光刻胶，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版分别包括多个遮光图形或多个开口图形。

3.根据权利要求2所述的图形互补复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均采用正性光刻胶或负性光刻胶；所述第一图形微结构和所述第二图形微结构均为凸起微结构或凹陷微结构；所述第一掩膜版复用为所述第二掩膜版；

利用所述第二掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光并显影，形成第二光刻胶掩膜，包括：

将所述第一掩膜版相对所述平片基底进行移位；

利用移位后的所述第一掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光并显影，形成第二光刻胶掩膜。

4.根据权利要求2所述的图形互补复合衬底的制备方法，其特征在于，利用第一掩膜版对所述平片基底进行图形化，在所述平片基底的第一表面形成多个第一图形微结构之后，还包括：

利用浓硫酸和双氧水的混合溶液以及去离子水，依次对图形化的所述平片基底的第一表面进行清洗并干燥处理。

5.根据权利要求1所述的图形互补复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第二图形微结构为凸起微结构；所述第二图形微结构的底面与所述第一图形微结构的底面位于同一平面。

6.根据权利要求1所述的图形互补复合衬底的制备方法，其特征在于，所述第一图形微结构为凸起微结构；令第一平面垂直所述平片基底的第一表面，第一方向垂直所述平片基底的第一表面，所述第一图形微结构与所述第二图形微结构在所述第一平面上的垂直投影在所述第一方向上至少部分交叠。

7.根据权利要求1所述的图形互补复合衬底的制备方法，其特征在于，所述多个第一图形微结构和所述多个第二图形微结构在所述平片基底的第一表面的垂直投影沿行和/或列呈周期排布。

8.根据权利要求1所述的图形互补复合衬底的制备方法，其特征在于，所述多个第一图形微结构在所述平片基底的第一表面的垂直投影呈均匀排布，和/或，所述多个第二图形微结构在所述平片基底的第一表面的垂直投影呈均匀排布。

9.根据权利要求1所述的图形互补复合衬底的制备方法，其特征在于，所述凸起微结构和所述凹陷微结构的形状包括圆柱状、圆锥状、圆台状多棱柱状、多棱锥状、多棱台状、球缺状中的至少一种，或者，所述凸起微结构和所述凹陷微结构分别为条形凸起和条形凹陷。