[发明专利]半导体制造设备的控制系统及方法

说明书

本公开提供一种半导体制造设备的控制系统及方法。该控制系统具有一感测器、一感测器接口以及一分析单元。该感测器提供一感测信号。该感测器接口接收该感测信号，并产生用于一数据库服务器的一输入信号。一前端子系统接收来自该数据库服务器的该输入信号，并执行一比较程序，以产生一数据信号。一计算子系统依据该数据信号而执行一人工智能分析程序，以产生一最佳化参数设定以及一模拟结果图。一信息暨调整子系统依据该最佳化参数设定与该模拟结果图而产生一警报信号以及一反馈信号，且该信息暨调整子系统传送该警报信号到该半导体制造设备的一使用者。

技术领域

本公开主张2020年3月20日申请的美国正式申请案第16/825,889的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

由于集成密度的改善，所以半导体产业经历了快速成长。例如蚀刻工具的半导体制造设备为了最佳化蚀刻均匀度，一般需要不断调整工艺参数。然而，使用例如光学临界尺寸映射(optical critical-dimension mapping)的技术的蚀刻工具的人工检测与调整，由于人为失误(human error)而通常导致浪费工艺时间(lost processing time)以及不良产品(defective product)。据此，设备的控制系统及方法需要有效提供设备调整的最佳化工艺参数、模拟预测结果以及预先警示。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体制造设备的控制系统，包括一感测器、一感测器接口以及一分析单元。该感测器提供代表该半导体制造设备的至少一感测信号。该感测器接口接收该至少一感测器信号，并为一数据库服务器产生至少一输入信号。该分析单元包括一前端子系统、一计算子系统以及一信息暨调整子系统。该前端子系统接收来自该数据库服务器的该至少一输入信号，并执行一比较程序，以产生一数据信号。该计算子系统接收来自该前端子系统的该数据信号，其中该计算子系统依据该数据信号而执行一人工智能(artificial intelligence，AI)分析程序，以产生一最佳化参数设定以及一模拟结果图。该信息暨调整子系统依据该最佳化参数设定与该模拟结果图而产生一警报信号以及一反馈信号，其中该信息暨调整子系统传送该警报信号到该半导体制造设备的一使用者。

在本公开的一些实施例中，该前端子系统包括一抽取转化装载(ExtractTransform Load，ETL)模块，依据该至少一输入信号是否在至少一临界值的一范围内或者是该至少一输入信号是否超出该至少一临界值，以比较该至少一输入信号与该至少一临界值，并产生该数据信号。

在本公开的一些实施例中，该计算子系统依据通过萃取一输入参数设定、计算在每一数据点的高度、深度、距离及/或遮罩值的其中一或多个、执行对于每一数据点的一统计模型预测以及确定一预测结果的该数据信号，以产生该最佳化参数设定与该模拟结果图。

在本公开的一些实施例中，该至少一输入信号包括以下其中至少一设定：时序、晶元尺寸以及电容参数(capacitance parameters)。

在本公开的一些实施例中，该至少一输入信号包括以下其中至少一设定：时序、晶元尺寸以及径向组装刻度盘参数(radial assembly dial parameters)。

在本公开的一些实施例中，该信息暨调整子系统传送该反馈信号，以依据该最佳化参数设定与该模拟结果图而进行该半导体制造设备的一自动调整程序。

在本公开的一些实施例中，该半导体制造设备包括一或多个蚀刻工具(etchingtools)。