[发明专利]一种半导体器件制作方法

说明书

本申请提供了一种半导体器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一N型硅片，其中，N型硅片上设置有扩散窗口，然后沿N型硅片的表面涂覆铝源，并形成铝源层，再沿铝源层的表面沉积掩蔽层，然后在与扩散窗口对应位置的掩蔽层表面设置光刻胶，并刻蚀除扩散窗口区域以外的铝源层与掩蔽层，最后在目标环境下使铝源层向N型硅片的扩散窗口进行的扩散，以制作半导体器件。本申请提供的半导体器件制作方法具有扩散方式简单，效率高且对设备要求低的优点。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件制作方法。

背景技术

目前，传统的铝扩散方式一般包括两种。第一种为离子注入铝，即通过离子注入的方式，实现铝源的掺杂，并在高温下对铝进行扩散。第二种为真空扩铝，即在真空环境下，通过对铝源的加热挥发至硅片表面，进而进行扩散。

然而，针对离子注入铝方式，离子注入铝设备比较昂贵，同时实现高浓度铝扩散需要注入时间很长，效率较低，并且因注入铝所使用的源升华温度较低，注入过程速流不稳定。针对真空扩铝方式，为避免铝源氧化，故对设备真空度要求较高；扩散过程中，铝源会沉积于腔体内，对腔体清理及温度可控能力带来挑战；真空扩铝过程中，实现的铝硅合金点不易去除。

综上，现有技术中铝扩散方式存在效率低，要求高等问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种半导体器件制作方法，以解决现有技术中铝扩散方式存在的效率低，要求高等问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

本申请提供了一种半导体器件制作方法，所述方法包括：

提供一N型硅片，其中，所述N型硅片上设置有扩散窗口；

沿所述N型硅片的表面涂覆铝源，并形成铝源层；

沿所述铝源层的表面沉积掩蔽层；

在与所述扩散窗口对应位置的掩蔽层表面设置光刻胶，并刻蚀除所述扩散窗口区域以外的所述铝源层与所述掩蔽层；

在目标环境下使铝源层向所述N型硅片的扩散窗口进行的扩散，以制作所述半导体器件。

可选地，在所述沿所述N型硅片的表面涂覆铝源层的步骤之前，所述方法包括：

将硝酸铝溶于去离子水，以形成待用铝源；

调整所述待用铝源的粘度与浓度，以生成铝源。

可选地，所述调整所述待用铝源的粘度与浓度，以生成铝源的步骤包括：

向所述待用铝源中添加乙二醇甲醚，直至将所述待用铝源的浓度调整为2％～30％，黏度调为10～150cp。

可选地，在所述沿所述N型硅片的表面涂覆铝源的步骤之前，所述方法还包括：

对所述N型硅片的表面进行镜面处理；

将处理后的N型硅片置于1000～1200℃的条件下，以在所述N型硅片的表面生长2000～10000A的氧化层。

可选地，所述铝源包括硝酸铝溶液，所述沿所述N型硅片的表面涂覆铝源，并形成铝源层的步骤包括：

在转速为1000～5000rpm的条件下，将所述硝酸铝溶液涂覆于所述 N型硅片的表面；

将涂覆铝源的N型硅片置于500～700℃的氧气环境下，以使所述硝酸铝分解，形成三氧化二铝层。

可选地，所述沿所述铝源层的表面沉积掩蔽层的步骤包括：

将生成铝源层的N型硅片置于的400～800℃的环境下，并在所述铝源层的表面沉积氮化硅层，以形成掩蔽层。